[发明专利]半导体器件及其电接触结构与制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的电接触结构，其特征在于，所述电接触结构包括：

多个接触插塞，形成于所述半导体器件的核心元件区的核心元件的上方，且各个所接触插塞的底部与相应的核心元件的有源区接触，

其中，形成在所述核心元件区的边界处的至少两个接触插塞的顶部相联在一起，且所述顶部相联在一起的接触插塞中包括边界处最外侧的接触插塞。

2.如权利要求1所述的半导体器件的电接触结构，其特征在于，所述顶部相联一起的所有接触插塞构成倒U形电接触结构或者梳状电接触结构。

3.如权利要求2所述的半导体器件的电接触结构，其特征在于，所述半导体器件的核心元件区中形成有与多个所述有源区相交的多条字线以及与所述字线垂直的位线，所述顶部相联一起的所有接触插塞构成的结构跨过至少一条所述字线并与所述位线对准。

4.如权利要求1所述的半导体器件的电接触结构，其特征在于，还包括相互独立的接触垫，形成在所述核心元件区的其他所述接触插塞的顶部，并一一对应地与相应的接触插塞的顶部电接触。

5.如权利要求1所述的半导体器件的电接触结构，其特征在于，所述顶部相联在一起的所有接触插塞为一体成型的结构，或者，所述边界处的至少两个接触插塞通过上接同一个接触垫而顶部相联在一起。

6.如权利要求1所述的半导体器件的电接触结构，其特征在于，所述电接触结构上接电容结构，其中，所述边界处的电容结构具有第一宽度，所述核心元件区的所述边界处以内的电容结构具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。

7.如权利要求6所述的半导体器件的电接触结构，其特征在于，所述第一宽度大于1.5倍的所述第二宽度。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有核心元件区，所述核心元件区中形成有多个核心元件；

层间介质层，覆盖在所述半导体衬底上；以及，

如权利要求1～7中任一项所述的半导体器件的电接触结构，所述电接触结构形成于所述层间介质层中，所述电接触结构的各个所述接触插塞的底部与相应的核心元件的有源区接触，且所述电接触结构中形成在所述核心元件区的边界处的至少两个接触插塞的顶部相联在一起，且所述顶部相联的所有的接触插塞中包括边界处最外侧的接触插塞。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为DRAM，所述核心元件区为存储区，所述核心元件为存储晶体管，所述电接触结构为存储节点接触结构。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：电容结构，形成于所述层间介质层上且底部与所述电接触结构相接触，所述边界处的电容结构具有第一宽度，所述核心元件区的所述边界处以内的电容结构具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一宽度大于1.5倍的所述第二宽度。

12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括多条字线和多条位线，每条所述字线与所述核心元件区中的多个所述有源区相交，所述位线与所述字线垂直，所述顶部相联一起的所有接触插塞构成的结构跨过至少一条所述字线并与所述位线对准。