[发明专利]一种钝化结构的制作方法、钝化结构和光伏电池

权利要求书

1.一种钝化结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一N型制绒硅片；

在所述N型制绒硅片的正面形成隧穿氧化层；

形成覆盖所述隧穿氧化层的本征多晶硅层；

在所述本征多晶硅层的目标部分进行硼掺杂，得到掺硼多晶硅，并去除所述本征多晶硅层中除所述目标部分之外的部分；

去除所述隧穿氧化层的除被所述掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分；

在所述N型制绒硅片未覆盖部分进行硼扩散，得到硼扩散层，以便得到钝化结构。

2.根据权利要求1所述的钝化结构的制作方法，其特征在于，所述在所述本征多晶硅层的目标部分进行硼掺杂，得到掺硼多晶硅，并去除所述本征多晶硅层中除所述目标部分之外的部分，包括：

在所述本征多晶硅层的所述目标部分印刷硼浆；

在预设条件下进行退火处理，在所述目标部分形成所述掺硼多晶硅和有机物壳层；

进行刻蚀处理，去除所述本征多晶硅层中除所述目标部分之外的部分；

对应的，所述去除所述隧穿氧化层的除被所述掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分，包括：

进行清洗，去除所述有机物壳层和所述隧穿氧化层的除被所述掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分。

3.根据权利要求2所述的钝化结构的制作方法，其特征在于，所述预设条件包括退火管温度和退火时间；

其中，所述退火管温度的范围为850-900℃，包括端点值；

所述退火时间的范围为20-60min，包括端点值。

4.根据权利要求2所述的钝化结构的制作方法，其特征在于，所述进行刻蚀处理，去除所述本征多晶硅层中除所述目标部分之外的部分，包括：

利用四甲基氢氧化氨刻蚀所述本征多晶硅层中除所述目标部分之外的部分。

5.根据权利要求2所述的钝化结构的制作方法，其特征在于，所述进行清洗，去除所述有机物壳层和所述隧穿氧化层的除被所述掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分，包括：

利用二已二醇丁醚去除所述有机物壳层；

利用氨水和双氧水溶液去除有机残留物；

利用盐酸和氢氟酸去除所述隧穿氧化层的除被所述掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分。

6.根据权利要求1所述的钝化结构的制作方法，其特征在于，所述在所述本征多晶硅层的目标部分进行硼掺杂，得到掺硼多晶硅，包括：

利用离子注入技术在所述本征多晶硅层的目标部分进行硼掺杂，得到所述掺硼多晶硅。

7.根据权利要求1所述的钝化结构的制作方法，其特征在于，所述硼扩散层的方阻范围为150-250ohm/sq，包括端点值。

8.根据权利要求1至7任一项所述的钝化结构的制作方法，其特征在于，所述在所述N型制绒硅片的正面形成隧穿氧化层之后，还包括：在所述N型制绒硅片的背面形成背面隧穿氧化层；

所述形成覆盖所述隧穿氧化层的本征多晶硅层之后，还包括：

形成覆盖所述背面隧穿氧化层的背面本征多晶硅层；

所述去除所述本征多晶硅层中除所述目标部分之外的部分之后，还包括：

去除所述背面本征多晶硅层；

去除所述隧穿氧化层的除被所述掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分之后，还包括：

去除所述背面隧穿氧化层。

9.一种应用于TopCon太阳能电池的钝化结构，其特征在于，包括：

N型制绒硅片；

位于所述N型制绒硅片的上表面的第一区域的硼扩散层；

位于所述N型制绒硅片的上表面的第二区域的隧穿氧化层；

位于所述隧穿氧化层远离所述N型制绒硅片的一侧的掺硼多晶硅；

其中，所述N型制绒硅片的上表面由所述第一区域和所述第二区域构成。

10.一种光伏电池，其特征在于，包括如权利要求9所述的钝化结构。