[发明专利]光电薄膜器件的特性检测方法

权利要求书

1.一种光电薄膜器件的特性检测方法，其特征在于，所述方法包括：

对待测光电薄膜器件进行制样处理，得到切片样品；

配置导电探针，以及与所述导电探针连接的开尔文探针力显微镜；

利用所述开尔文探针力显微镜通过所述导电探针采集所述切片样品的参数分布数据信息。

2.根据权利要求1所述的光电薄膜器件的特性检测方法，其特征在于，所述参数分布数据信息包括电势分布数据，所述方法还包括：

检测所述电势分布数据中的各个电势是否存在异常，若存在异常，则根据异常电势的探测点位置确定所述待测光电薄膜器件的异常位置。

3.根据权利要求2所述的光电薄膜器件的特性检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述异常电势的探测点位置以及所述异常电势的数值，确定所述待测光电薄膜器件发生的异常类型。

4.根据权利要求1所述的光电薄膜器件的特性检测方法，其特征在于，所述对待测光电薄膜器件进行制样处理，得到切片样品的步骤，包括：

在待测光电薄膜器件的远离基板的电极层上涂覆树脂填料并固化；

对所述待测光电薄膜器件进行液氮冷却处理；

在真空或惰性气体腔室内，利用离子减薄仪将所述待测光电薄膜器件切片，获得截面切片样品。

5.根据权利要求1所述的光电薄膜器件的特性检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

利用离子枪对电极棒进行加热，在所述待测光电薄膜器件的两个电极上分别沉积以引出电极；

对引出的电极施加电压，并利用所述开尔文探针力显微镜通过所述导电探针采集通电后的切片样品的参数分布数据信息。

6.根据权利要求1所述的光电薄膜器件的特性检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

配置与所述导电探针连接的原子力显微镜；

利用所述原子力显微镜通过所述导电探针采集所述切片样品的形貌图。

7.根据权利要求1所述的光电薄膜器件的特性检测方法，其特征在于，所述切片样品包括电极层以及多层层叠设置的功能层，所述利用所述开尔文探针力显微镜通过所述导电探针采集所述切片样品的参数分布数据信息的步骤，包括：

利用所述开尔文探针力显微镜通过所述导电探针从所述切片样品的截面，依次扫描所述切片样品的电极层以及各层功能层，获得所述切片样品的参数分布数据信息。

8.根据权利要求7所述的光电薄膜器件的特性检测方法，其特征在于，所述利用所述开尔文探针力显微镜通过所述导电探针从所述切片样品的截面，依次扫描所述切片样品的电极层以及各层功能层的步骤，包括：

确定出所述切片样品的截面上的目标检测区域，该目标检测区域为所述切片样品的电极层及其所对应的区域；

利用所述开尔文探针力显微镜通过所述导电探针从所述切片样品的截面上的目标检测区域，依次扫描所述切片样品的电极层以及各层功能层。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的光电薄膜器件的特性检测方法，其特征在于，所述待测光电薄膜器件为OLED发光组件。