[发明专利]光阻组成物及形成光阻图案的方法

权利要求书

1.一种形成光阻图案的方法，其特征在于，包含：

形成一上方层于一基板上的一光阻层上方，该上方层包含一硅氧烷聚合物；

选择性曝光该光阻层至一光化辐射；

显影该光阻层，以在该光阻层中形成一图案；以及

移除该上方层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该硅氧烷聚合物包含选自以下的一或多种单体：

其中R8、R11、R12、R15、及R16为相同或不同，且为任何C2至C20有机基团或任何氟取代的C2至C20有机基团；以及

其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R9、R10、R13、及R14为相同或不同，且为H、C1至C6烷基、或氟取代的C1至C6烷基。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中以该上方层的总重量计，该上方层含有至少5wt.％的该硅氧烷聚合物。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含在显影该光阻层之后，执行一去浮渣操作。

5.一种形成光阻图案的方法，其特征在于，包含：

设置一漂浮添加物聚合物及一光阻的一混合物于一基板上方；

旋转该基板，该基板具有设置于其上的该混合物，其中该漂浮添加物聚合物与该光阻分离并上升至该混合物的一上部以形成一上方层，该上方层包含设置于一光阻层上方的该漂浮添加物聚合物；

选择性曝光该光阻层至一光化辐射；

显影该光阻层，以在该光阻层中形成一图案；以及

移除该上方层，其中该漂浮添加物聚合物为一硅氧烷聚合物。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该硅氧烷聚合物包含选自以下的一或多种单体：

其中R8、R11、R12、R15、及R16为相同或不同，且为任何C2至C20有机基团或任何氟取代的C2至C20有机基团；以及

其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R9、R10、R13、及R14为相同或不同，且为H、C1至C6烷基、或氟取代的C1至C6烷基。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该光阻层包括金属氧化物纳米粒子。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该上方层的该漂浮添加物聚合物的一浓度高于该光阻层。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包含在显影该光阻层之后执行一去浮渣操作。

10.一种光阻组成物，其特征在于，包含：

一光阻材料；以及

一硅氧烷聚合物，包含选自以下的一或多种单体：

其中R8、R11、R12、R15、及R16为相同或不同，且为任何C2至C20有机基团或任何氟取代的C2至C20有机基团；以及

其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R9、R10、R13、及R14为相同或不同，且为H、C1至C6烷基、或氟取代的C1至C6烷基。