[发明专利]用于形成互连部的方法和溶液

权利要求书

1.一种用于铂族金属无电沉积的无氧或贫氧溶液，其包含：

具有氧化电势的钌(II)胺络合物，以及

铂族金属化合物，其还原电势大于所述钌(II)胺络合物的氧化电势相反数。

2.如权利要求1所述的溶液，该溶液用于沉积铑，其中，铂族金属化合物是铑化合物。

3.如权利要求2所述的溶液，其中，钌胺络合物选自[Ru(NH₃)₆]²⁺和[Ru(en)₃]²⁺，其中，en表示乙二胺。

4.如权利要求3所述的溶液，其中，铂族金属化合物具有选自M¹X、M²M¹X、M¹X·xH₂O和M²M¹X·xH₂O的通式，其中，x是整数，M¹是总计正价为v₁的一个或多个铂族金属原子，M²是不同于M¹的总计正价为v₂的一个或多个原子、一个或多个官能团或其组合，并且X是总计负价等于–(v₁+v₂)的一个或多个原子、一个或多个官能团、或其组合。

5.如权利要求1所述的溶液，其中，所述溶液还包含络合剂。

6.如权利要求1所述的溶液，其中，钌(II)胺络合物:铂族金属化合物的摩尔比为5:1至20:1。

7.一种在集成电路制造期间形成铂族金属互连部的方法，所述方法包括以下步骤：

提供基材，所述基材包含：

半导体基材；

电介质层，该电介质层在其中具有形成互联部的腔室，所述腔室具有底部；以及

至少在腔室底部上的催化层，其包含导电材料；以及

使催化层暴露于含有Ru(II)胺络合物和铂族金属化合物的无氧或贫氧溶液，所述Ru(II)胺络合物具有氧化电势，所述铂族金属化合物的还原电势大于Ru(II)胺络合物的氧化电势相反数。

8.如权利要求7所述的方法，其中，使催化层暴露于无氧或贫氧溶液包括：

将具有催化层的基材浸没在含有铂族金属化合物的溶液中，并且

从溶液逐步添加Ru(II)胺络合物。

9.如权利要求7所述的方法，其中，步骤b中所用的无氧或贫氧溶液通过包括如下步骤的方法获得：通过从Ru(III)胺络合物还原，以电化学方式产生Ru(II)胺络合物。

10.如权利要求7所述的方法，其中，所述腔室是通道、沟槽或两者的组合。

11.如权利要求7所述的方法，其中，在制造集成电路的生产线前端之后直接形成铂族金属互连部。

12.如权利要求7所述的方法，其中，催化层包含铂族金属。

13.如权利要求12所述的方法，其中，铂族金属是铑。

14.如权利要求7所述的方法，其中，提供基材包括：

提供半导体基材；

在半导体基材上方提供电介质层，所述电介质层包括腔室；以及

至少在腔室底部上沉积包含导电材料的催化层。