[发明专利]一种具有新型栅线结构的太阳电池及其制作方法

权利要求书

1.一种具有新型栅线结构的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：

衬底；

设置在所述衬底上的外延层；

设置在所述外延层的正面边缘区域的闭环主栅线结构；

设置在所述闭环主栅线结构区域内的多条细栅线结构，多条所述细栅线结构等间隔排列；

设置在所述外延层正面边缘一侧的多个主电极结构；

其中，所述闭环主栅线结构与所述主电极结构连接，每一所述细栅线结构的两端分别与所述主栅线结构连接。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述细栅线结构的上表面宽度小于下表面宽度。

3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述细栅线结构在垂直于其延伸方向的截面形状为正梯形。

4.根据权利要求3所述的太阳电池，其特征在于，所述正梯形的侧面斜度为60°-85°，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述主电极结构的数量为2-3个，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括：

覆盖所述闭环主栅结构和所述细栅线结构的减反射膜。

7.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括：

设置在所述衬底背离所述外延层一侧的背电极结构。

8.一种具有新型栅线结构的太阳电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成外延层；

在所述外延层的正面形成闭环主栅线结构、多条等间隔排列的细栅线结构和多个主电极结构，其中，所述闭环主栅线结构位于边缘区域，所述细栅线结构位于所述闭环主栅线结构的区域内，多个所述主电极结构均位于边缘区域的一侧；

其中，所述闭环主栅线结构与所述主电极结构连接，每一所述细栅线结构的两端分别与所述主栅线结构连接。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成外延层包括：

在所述衬底上以第一方向依次形成第一子电池、第一隧穿结、DBR反射层、第二子电池、第二隧穿结、第三子电池和欧姆接触层；

其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述第一子电池。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述外延层的正面形成闭环主栅线结构、多条等间隔排列的细栅线结构和多个主电极结构，包括：

在所述欧姆接触层背离所述第三子电池的表面涂覆负性光刻胶；

采用曝光的方式对负性光刻胶进行曝光处理，以光刻出闭环主栅线结构图形、多条等间隔排列的细栅线结构图形和多个主电极结构图形；

蒸镀金属材料，形成闭环主栅线结构、多条等间隔排列的细栅线结构和多个主电极结构，并去除剩余的负性光刻胶。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述采用曝光的方式对负性光刻胶进行曝光处理，以光刻出闭环主栅线结构图形、多条等间隔排列的细栅线结构图形和多个主电极结构图形，包括：

在所述细栅线结构区域，采用渐变递减式的曝光光强进行曝光处理；

其中，递减速率为0-10mJ/cm²/s。

12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

对所述细栅线结构的两个侧壁进行刻蚀处理，以使所述细栅线结构在垂直于其延伸方向的截面形状为正梯形。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

对暴露在外的欧姆接触层进行刻蚀处理，以暴露出位于所述欧姆接触层下方的外延层。