[发明专利]一种新型电镀法制作大锡球方法

说明书

本发明公开了一种新型电镀法制作大锡球方法，具体包括如下步骤：101)辅助层制作步骤、102)曝光步骤、103)电镀步骤、104)大锡球制作步骤；本发明提供双层胶曝光的方式制作的一种新型电镀法制作大锡球方法。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体的说，它涉及一种新型电镀法制作大锡球方法。

背景技术

晶圆级封装技术是先进封装领域用的最广的一种技术，尤其是对于消费类产品，晶圆级封装以其尺寸小，重量轻，厚度薄等优点，被广泛应用于移动电子设备，微型功能设备上。

晶圆级封装对外焊接互联一般用焊锡球或者金属凸点，焊锡球的制作工艺包括直接植球，用焊锡膏制作焊球以及电镀工艺制作焊球，凸点则包括种植金属柱和电镀凸点两种。但是在电镀制作焊锡球的工艺中，电镀锡的高度会受到光刻胶层的厚度影响，如果要制作较大的焊球，则需要电镀非常厚的焊锡，现在的光刻涂胶工艺一般很难做到。如果增加电镀面积，则可以增加电镀锡的量，却增加了焊球的底座，焊球仍然不能做的太大。

发明内容

本发明克服了现有技术的不足，提供一种新型电镀法制作大锡球方法。

本发明的技术方案如下：

一种新型电镀法制作大锡球方法，具体包括如下步骤：

101)辅助层制作步骤：载板上表面通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺制作种子层；在种子层上方制作第一光刻胶层，第一光刻胶层厚度范围在1um到100um，其制作方式采用旋涂工艺或喷涂工艺；在第一光刻胶层上面制作第二光刻胶层形成辅助层；其中，第二光刻胶层制作方式、厚度和第一光刻胶层相同；

102)曝光步骤：通过曝光工艺曝光辅助层，然后通过第二次曝光工艺只曝光第二光刻胶层；

103)电镀步骤：通过显影工艺去除曝光的辅助层的部分第一光刻胶层和第二光刻胶层，使得露出互联焊盘的电镀金属位置；电镀金属沉积，金属采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合，金属沉积采用一层或多层结构；

104)大锡球制作步骤：通过湿法腐蚀或者干法刻蚀工艺去除辅助层，再通过湿法腐蚀工艺去除种子层；对载板上表面涂布助焊剂，通过回流焊，清洗助焊剂得到大锡球。

进一步的，种子层厚度范围在1nm到100um，其本身结构为一层或多层结构，其材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合。

本发明相比现有技术优点在于：本发明通过双层胶曝光的方式，在较小的底座上制作大面积的电镀焊锡，然后通过回流得到较大的焊球。

附图说明

图1为本发明的载板设置种子层示意图；

图2为本发明的图1设置第一光刻胶层示意图；

图3为本发明的图2设置第二光刻胶层曝光后的示意图；

图4为本发明的图3镀金属示意图；

图5为本发明的图4去除第一光刻胶层、第二光刻胶层示意图；

图6为本发明的图5去除种子层示意图；

图7为本发明的示意图；

图8为本发明的载板设置种子层、第一光刻胶层示意图；

图9为本发明的图8需要曝光第一曝光区域的示意图；

图10为本发明的图9设置第二光刻胶层并显示需要曝光区域的示意图；

图11为本发明的图10设置光刻胶示意图。