[发明专利]一种快速判断FeSiAl材料磁导率强弱的方法在审
| 申请号: | 201910924087.4 | 申请日: | 2019-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN110618151A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
| 发明(设计)人: | 余建明;鲁振达 | 申请(专利权)人: | 南京宁智高新材料研究院有限公司 |
| 主分类号: | G01N23/207 | 分类号: | G01N23/207 |
| 代理公司: | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 吴飞 |
| 地址: | 211100 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁导率 研发 材料磁导率 强弱 特征峰 主峰 特征峰强度 快速判断 强弱判断 物相分析 半峰宽 特征谱 测试 | ||
本发明公开一种快速判断FeSiAl材料磁导率强弱的方法,步骤为:采用X射线衍射仪对FeSiAl材料进行物相分析,获得FeSiAl材料的XRD图谱,根据XRD图谱中DO3相和BCC相的特征峰强度来判断FeSiAl材料的磁导率强弱。当FeSiAl材料的XRD图谱同时满足特征(1)DO3相和BCC相对应的所有特征峰度都存在,和(2)所有特征峰的半峰宽都小于1时,通过比较DO3相主峰与BCC相主峰的强度可以判断FeSiAl材料的磁导率强度为小于50H/m、50H/m~100H/m之间或大于100H/m。本发明提供了一种全新的FeSiAl材料磁导率强弱判断方法,通过FeSiAl材料的XRD特征谱来判断其磁导率强弱,该方法简单易行,大大降低了测试的成本,提升了研发速率,为本领域的研发人员提供了敏捷研发指导。
技术领域
本发明涉及一种磁导率强弱判断方法,特别涉及一种快速判断FeSiAl材料磁导率强弱的方法,属于电子元器件材料制备领域。
背景技术
5G时代即将到来。与4G技术相比,5G网络高频率的引入、硬件零部件的升级以及天线数量的成倍增长,设备与设备之间以及设备本身内部的电磁干扰无处不在。未来高频率高功率电子产品的瓶颈是其产生的电磁辐射,为了解决此问题,电子产品在设计时将会加入越来越多的电磁屏蔽器件。吸波材料目前能够成熟用于商业化的是磁损耗型的铁氧体吸波材料和磁性金属吸波材料。
以FeSiAl为吸波源的吸波隔磁贴片已经广泛应用于一些商业化吸波隔磁贴片中。对于商业化FeSiAl吸波产品而言,一边提升质量的同时一边降低成本是关键。对于FeSiAl吸波薄膜而言磁导率是其关键指标之一,传统的检测手段是通过阻抗分析仪来检测磁导率大小。但在实际的生产研发过程中,由于阻抗分析仪较贵,送外检测成本较高,不可能在研发的过程中时刻检测磁导率大小,但是对于敏捷研发而言做到实时判断研发产品的质量以便下一步研发做出指导又是十分必要的。
因此亟需一种新的方法来判断FeSiAl材料的磁导率大小。
发明内容
发明目的:针对现有的FeSiAl磁导率检测手段存在的设备昂贵、测试复杂、不利于敏捷研发等问题,本发明提供了一种快速判断FeSiAl材料磁导率强弱的方法,大大降低了检测的成本且提高了检测效率。
技术方案:本发明所述的一种快速判断FeSiAl材料磁导率强弱的方法,包括如下步骤:采用X射线衍射仪对FeSiAl材料进行物相分析,获得FeSiAl材料的XRD图谱,根据XRD图谱中DO3相和BCC相的特征峰强度来判断FeSiAl材料的磁导率强弱。
具体的,当FeSiAl材料的XRD图谱具备如下特征时,说明其磁导率大于100H/m:
(1)具有DO3相和BCC相对应的所有特征峰;
(2)所有特征峰的半峰宽均小于1°;
(3)DO3相的主峰强度与BCC相主峰强度的比值大于2。
当FeSiAl材料的XRD图谱具备如下特征时,说明其磁导率为50~100H/m:
(1)具有DO3相和BCC相对应的所有特征峰;
(2)所有特征峰的半峰宽均小于1°;
(3)DO3相的主峰强度与BCC相主峰强度的比值为1~2。
当FeSiAl材料的XRD图谱满足下述特征(1)~(3)时、或者不满足下述特征(1)或(2)时,说明其磁导率小于50H/m:
(1)具有DO3相和BCC相对应的所有特征峰;
(2)所有特征峰的半峰宽均小于1°;
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