[发明专利]半导体器件、高压器件和形成高压器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一高电子迁移率晶体管器件，设置在半导体结构内，并且包括第一源极、第一漏极和第一栅极；

第二高电子迁移率晶体管器件，设置在所述半导体结构内，并且包括耦合至所述第一漏极的第二源极、第二漏极和第二栅极；以及

二极管连接的晶体管器件，设置在所述半导体结构内，并且包括第三源极、第三栅极和耦合至所述第二栅极的第三漏极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一高电子迁移率晶体管器件是第一增强型高电子迁移率晶体管器件。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第二高电子迁移率晶体管器件是第二增强型高电子迁移率晶体管器件；以及

其中，所述第三源极耦合到所述第一栅极，并且所述第三漏极耦合到所述第二栅极。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第二高电子迁移率晶体管器件是耗尽型高电子迁移率晶体管器件；以及

其中，所述第三源极耦合到所述第一源极，并且所述第三漏极耦合到所述第二栅极。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一高电子迁移率晶体管器件和所述二极管连接的晶体管器件布置在第一管芯内；以及

其中，所述第二高电子迁移率晶体管器件布置在第二管芯内，所述第二管芯具有与所述第一管芯的最外侧壁隔开非零距离的最外侧壁。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一管芯和所述第二管芯分别包括：

衬底，包括第一半导体材料；

沟道层，位于所述衬底上方并且包括第二半导体材料；以及

有源层，位于所述沟道层上方并且包括第三半导体材料。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一管芯和所述第二管芯分别包括：

氮化镓层，布置在硅衬底上方；以及

氮化铝镓层，布置在所述氮化镓层上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述氮化镓层具有小于或等于10微米的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一高电子迁移率晶体管器件、所述二极管连接的晶体管器件和所述第二高电子迁移率晶体管器件布置在管芯内。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述管芯包括：

衬底，包括具有第一掺杂类型的硅；

氮化镓层，布置在所述衬底上方；以及

氮化铝镓层，与所述氮化镓层的顶部接触。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述管芯包括：

衬底，包括具有第一掺杂类型的第一半导体材料；

外延缓冲层，设置在所述衬底上方并且包括具有所述第一掺杂类型的所述第一半导体材料；

沟道层，位于所述外延缓冲层上方并且包括第二半导体材料；以及

有源层，位于所述沟道层上方并且包括第三半导体材料。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：

隔离结构，包括具有不同于所述第一掺杂类型的第二掺杂类型的掺杂区域，所述掺杂区域包括位于所述衬底内的水平延伸段和从所述水平延伸段的顶部向外突出的垂直延伸段。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括：

一个或多个导电接触件，延伸穿过所述沟道层和所述有源层以接触所述隔离结构。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述一个或多个导电接触件在沿着沿所述外延缓冲层的顶面延伸的水平面设置的界面处与所述隔离结构物理接触。