[发明专利]一种低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在电池形成PN结或PP⁺的高低结过程中，采用镓源、铝源、铟源或铊源进行高温扩散、离子注入或原位掺杂，在P型钝化接触电池中的p型多晶硅层中的掺杂控制，先在850℃-1000℃的高温环境下，在掺镓P型单晶硅沉积的多晶硅表面进行掺杂，掺杂源为镓源、铝源、铟源或铊源；后在750℃-900℃的中温环境下，在掺镓P型单晶硅沉积的多晶硅表面的对面进行N型掺杂，掺杂源为磷源，具体包括以下步骤：

1)对掺镓P型单晶硅进行制绒清洗，然后进行单面表面处理；

2)在处理后的表面沉积氧化硅层；

3)在氧化硅层表面沉积多晶硅；

4)使用镓的离子注入或管式高温扩散方法在多晶硅中形成P型掺杂硅薄膜；

5)清洗掺镓P型单晶硅背表面富含镓的疏松氧化硅并去除，然后使用低压化学气相沉积法在掺杂多晶硅背面沉积第一钝化膜；

6)清洗钝化接触层形成过程中的绕镀并去除，随后在750℃-900℃温度环境下在掺杂P型硅正面进行N型掺杂；

7)然后进行清洗去除富含磷的疏松氧化硅；

8)最后在掺杂P型硅正面沉积第二钝化膜并进行金属化。

2.根据权利要求1所述的低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤1)中单面表面处理是通过酸或碱形成平整结构。

3.根据权利要求1所述的低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤2)通过低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、高温HNO₃处理、紫外或O₃方法在处理后的表面沉积氧化硅层。

4.根据权利要求3所述的低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述氧化硅层为0.2nm-2nm，所述高温HNO₃处理的高温处理温度为50℃-150℃。

5.根据权利要求1所述的低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤3)多晶硅为50nm-500nm。

6.根据权利要求1所述的低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤5)的第一钝化膜为氮化硅、氧化硅和氮化硅的叠层或氧化铝和氮化硅叠层中的任一种。

7.根据权利要求1所述的低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤6)通过磷的离子注入方法或管式高温扩散方法在750℃-900℃温度环境下在掺杂P型硅正面进行N型掺杂。

8.根据权利要求1所述的低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤8)的第二钝化膜为氮化硅或氧化硅和氮化硅的叠层。