[发明专利]一种闪存及其制备方法

权利要求书

1.一种闪存的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻的单元区和高电阻多晶硅区，在所述单元区和高电阻多晶硅区的半导体衬底上同时形成相同的字线结构；

对所述单元区和高电阻多晶硅区的字线结构进行P型离子注入；

在所述单元区和高电阻多晶硅区形成图形化的掩模层，所述掩模层覆盖了所述高电阻多晶硅区，并暴露出所述单元区的字线结构；以及

以图形化的所述掩模层为掩模，对所述单元区的字线结构进行N型离子注入，并清除所述掩模层，以形成闪存；

其中，所述字线结构包括依次形成于所述半导体衬底上的耦合氧化层、浮栅、控制栅、字线、保护层和第一氧化层，所述字线嵌设在所述浮栅和控制栅中，所述保护层包裹所述字线，且所述保护层位于所述控制栅上，所述第一氧化层覆盖了所述字线的上表面。

2.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述P型离子注入中的离子为P型掺杂离子，所述P型掺杂离子包括硼离子、氟化硼离子、镓离子和铟离子中的至少一种。

3.如权利要求2所述制备方法，其特征在于，所述P型离子注入的剂量为5*10¹³/cm²-1.5*10¹⁴/cm²，所述P型离子注入时的入射角度为与所述衬底的表面的夹角为89°-91°，能量为5KeV-15KeV。

4.如权利要求3所述制备方法，其特征在于，对所述单元区和高电阻多晶硅区的字线结构进行P型离子注入，与在所述单元区和高电阻多晶硅区形成图形化的掩模层，所述掩模层覆盖了所述高电阻多晶硅区，并暴露出所述单元区的字线结构之间还包括：

在所述第一氧化层上依次形成第一氮化层、第二氧化层和图形化的第一光刻胶层，其中，图形化的所述第一光刻胶层覆盖了所述单元区的字线结构，并在所述高电阻多晶硅区的字线结构上方具有第一开口；

以图形化的所述第一光刻胶层为掩模，刻蚀所述第一开口处的第一氮化层和第二氧化层，并暴露出所述开口处下方的第一氧化层，以形成逻辑阱；以及

清除剩余的所述第一光刻胶层、第二氧化层和第一氮化层。

5.如权利要求4中所述制备方法，其特征在于，在所述单元区和高电阻多晶硅区形成图形化的掩模层，所述掩模层覆盖了所述高电阻多晶硅区，并暴露出所述单元区的字线结构包括以下步骤：

在所述高电阻多晶硅区的字线结构上形成多晶硅层和图形化的第二光刻胶层，所述第二光刻胶层覆盖了所述高电阻多晶硅区，并在所述单元区的字线结构上方具有第二开口；以及

以图形化的所述第二光刻胶层为掩模，刻蚀所述第二开口处的多晶硅层，并刻蚀停止在所述第一氧化层上，以形成图形化的多晶硅层。

6.如权利要求5中所述制备方法，其特征在于，所述N型离子注入中注入的离子为N型掺杂离子，所述N型掺杂离子包括磷离子、砷离子和锑离子中的至少一种。

7.如权利要求6中所述制备方法，其特征在于，所述N型离子注入的剂量为1*10¹⁵/cm²-10*10¹⁵/cm²，所述N型离子注入时的入射角度为与所述衬底的表面的夹角为89°-91°，能量为15KeV-30KeV。

8.一种闪存，由权利要求1 ～ 7 中任一项所述的制备方法制备而成，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括单元区和高电阻多晶硅区，在所述单元区形成有具有N型重掺杂的字线结构，在所述高电阻多晶硅区形成有具有P型轻掺杂的字线结构。

9.如权利要求8所述的闪存，其特征在于，所述P型轻掺杂的离子包括硼离子、氟化硼离子、镓离子和铟离子中的至少一种。