[发明专利]一种爱泼斯坦方圈磁性能检测装置和方法

权利要求书

1.一种爱泼斯坦方圈磁性能检测装置，其特征在于，包括绝缘底板和爱泼斯坦方圈，所述爱泼斯坦方圈为四个绕组骨架在所述绝缘底板上形成的方框结构，所述绕组骨架为中心设有容置腔的矩形块状结构，所述容置腔为沿轴向设置的矩形贯通孔，位于容置腔顶面和底面的中心对称设有矩形凹槽，所述矩形凹槽内嵌设H线圈，绕组骨架上绕设内外两层线圈，外层线圈为初级磁化线圈N₁，内层线圈为次级感应线圈N₂，矩形凹槽两侧均设有贯通的接线孔；还包括励磁电源和连接触点，所述连接触点为多个，分别设于四个绕组骨架两侧的绝缘底板上，所述H线圈、初级磁化线圈N₁和次级感应线圈N₂分别与对应的连接触点相连接，所述励磁电源通过线缆与连接触点相连。

2.根据权利要求1所述的一种爱泼斯坦方圈磁性能检测装置，其特征在于，所述H线圈由板状骨架和铜丝线圈组成，所述板状骨架为不导电的非磁性材料制成，所述铜丝线圈为铜丝沿板状骨架均匀连续缠绕制成，板状骨架长度为150mm~200mm、宽度为20~25mm、厚度为1~1.5mm，铜丝线圈长度为130mm~180mm，铜丝直径为0.2mm~0.5mm。

3.根据权利要求2所述的一种爱泼斯坦方圈磁性能检测装置，其特征在于，所述绕组骨架厚度为4±0.1mm，容置腔长度为220±1mm、宽度为32±0.1mm、高度为10±0.1mm，矩形凹槽深度为1.5~2mm、长度为151~201mm、宽度21~26mm。

4.一种爱泼斯坦方圈磁性能检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1）样品加工安设：将硅钢片样品按照加工要求加工成条状，将硅钢片样品穿设于绕组骨架的容置腔中，相邻两组硅钢片样品一一对应首尾搭接相连；

S2）电路连接方式：同一绕组骨架内两个H线圈串联连接，四个绕组骨架初级磁化线圈并联，以分开接线的方式连接励磁电源，进行单独励磁和/或组合励磁，次级感应线圈采用串联的方式连接在一起；

S3）电流法分段控制测量：

磁场强度H(t)控制：按实验要求通过励磁电源使用初级磁化线圈N₁对样品进行磁化，四个绕组骨架初级磁化线圈编号为N₁1、N₁2、N₁3、N₁4，正常检测时N₁1、N₁2、N₁3、N₁4同时磁化，检测各向异性时按对角N₁1和N₁3、N₁2和N₁4分组进行磁化，检测均匀性时逐个依次进行磁化，并实时监测控制电流大小，从而达到通过电流法控制磁场强度H(t)；

次级感应电压U₂(t)测量：将感应电压装置以并联的方式连接至四个绕组骨架次级线圈N₂1、N₂2、N₂3、N₂4两端测试次级感应电压U₂(t) 1、U₂(t) 2、U₂(t) 3、U₂(t) 4，并实时监测分段的次级感应电压大小，从而达到分段测量获得整体和分段磁极化强度J(t)；

S4）H线圈法控制测量：

磁场强度H(t)控制：四个绕组骨架H1、H2、H3、H4线圈连接电压感应装置，通过感应电势来获得H线圈法磁场强度，通过调整励磁大小的方式控制磁场强度；

H线圈感应电压U_H(t)测量：通过电压感应装置测量H1、H2、H3、H4感应电压U_H(t) 1、U_H(t) 2、U_H(t) 3、U_H(t) 4，从而达到分段测量获得整体和分段磁极化强度J(t)。