[发明专利]一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅陶瓷覆铜基板，其特征在于，该氮化硅陶瓷覆铜基板包括：氮化硅陶瓷基板和覆接于所述氮化硅陶瓷基板至少一个表面上的铜层；所述氮化硅陶瓷基板和所述铜层之间形成有界面结合层；所述界面结合层包括依次叠加的氧化硅层、X1氧化物层、M层；所述氧化硅层与所述氮化硅陶瓷基板接触；所述X1氧化物层含有活性金属氧化物；所述M层含有CuCr₂O₄、CuMn₂O₄和CuFe₂O₄中的一种或多种；所述M层还含有Cr₂O₃、Mn₃O₄和Fe₃O₄的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷覆铜基板，其特征在于，所述活性金属氧化物包括Al₂O₃、TiO₂、Nb₂O₅、HfO₂、TaO₂、Ta₂O₅、V₂O₅、和ZrO₂中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷覆铜基板，其特征在于，所述M层与铜层之间还存在X2层；

所述X2层含有CuAlO₂、CuCo₂O₄、CuTiO₃、CuZrO₃、CuWO₄、CuSb₂O₄、CuMoO₄、CuGa₂O₄、CuBi₂O₄、CuTa₂O₆、CuNb₂O₆、CuV₂O₆、CuNiO₂、CuTeO₃和CuGeO₃中的一种或多种。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的氮化硅陶瓷覆铜基板，其特征在于，所述界面结合层的厚度为0.8-1.8μm；

所述氮化硅陶瓷基板的厚度为0.32-0.63mm；所述铜层的厚度为0.25-0.30mm。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的氮化硅陶瓷覆铜基板，其特征在于，所述铜层和所述氮化硅陶瓷基板间的平均剥离强度为3-5N/mm。

6.一种制备权利要求1-2中任意一项所述的氮化硅陶瓷覆铜基板的方法，其特征在于，该方法包括：

S1、采用磁控溅射的方法在氮化硅陶瓷基板的至少一个表面依次镀覆活性金属，以及Cr、Mn和Fe中的一种或多种，得到镀层氮化硅陶瓷基板；

S2、将步骤S1所得镀层氮化硅陶瓷基板进行热氧化处理，得到热氧化氮化硅陶瓷基板；

S3、将步骤S2所得热氧化氮化硅陶瓷基板的镀层一面与经过预氧化的铜层的氧化面进行覆接，制得形成有界面结合层的氮化硅陶瓷覆铜基板。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤S1在镀覆Cr、Mn和Fe中的一种或多种之后，还包括磁控溅射第一金属单质；

所述第一金属单质包括Al、Co、Ti、Zr、Ta、W、Sb、Mo、Ga、Bi、Nb、V、Ni、Te和Ge中的一种或多种。