[发明专利]用于在三维物体的表面上沉积金属膜的设备

说明书

本公开涉及一种用于在三维物体的表面上沉积金属膜的设备，并且更具体地，涉及一种用于在三维物体的表面上沉积金属膜的设备，其中，多个三维物体被安装到安装鼓，使得其要经受沉积的三维表面可面向源靶，并且安装鼓是可旋转的，从而在三维物体的三维表面上沉积具有改进的均匀性和质量的三维金属膜。根据本公开所述的设备包括：安装鼓，该安装鼓可旋转地设置在腔室内部并且具有圆周表面，多个三维物体被安放并安装到该圆周表面上，从而使其要经受沉积的每个表面被暴露于外部；以及至少一个源靶，该至少一个源靶通过溅射使金属膜沉积到安装到安装鼓的三维物体的表面上。

技术领域

本公开涉及一种用于在三维物体的表面上沉积金属膜的设备，并且更具体地涉及一种用于在三维物体的表面上沉积金属膜的设备，其中，多个三维物体被安装到安装鼓，使得其要经受沉积的三维表面可面向源靶，并且所述安装鼓是可旋转的，从而在所述三维物体的三维表面上沉积具有改进的均匀性和质量的三维金属膜。

背景技术

为了制造用于各种电子器件的薄膜，例如，为了沉积用于屏蔽半导体封装、太阳能电池和有机发光二极管(OLED)器件的电磁干扰(EMI)的薄膜，已使用了溅射设备。具体地，为了沉积用于屏蔽半导体封装免受EMI的薄膜，已使用了在按直线通过工艺模块的同时执行各工艺的内联溅射沉积系统。

这样的内联溅射沉积系统不适用于要求高水平台阶覆盖的工艺，因为安装有半导体封装的靶和托盘如图5的(a)所示被彼此面对地承载，因此沉积在半导体封装的侧面上的薄膜的厚度低于沉积在半导体封装的顶部上的薄膜的厚度的约40％。

当使用溅射来在半导体封装上沉积薄膜时，封装的除底面外的五个面经受溅射沉积，并且基于五个沉积面当中的具有最薄膜的面设置整个沉积厚度。然而，用于半导体封装的常规溅射设备提供不高于40％的台阶覆盖，并且由于向下沉积方法和用于承载半导体封装托盘的内联系统而难以确保薄膜的均匀性。

发明内容

因此，设想本公开以解决上述问题，并且本公开的一个方面是为了提供一种用于在三维物体的表面上沉积金属膜的设备，其中多个三维物体被安装到安装鼓，使得其要经受沉积的三维表面可面向源靶，并且所述安装鼓是可旋转的，从而在所述三维物体的三维表面上沉积具有改进的均匀性和质量的三维金属膜。

本公开的另一方面是为了提供一种用于在三维物体的表面上沉积金属膜的设备，其中半导体IC封装被用作所述三维物体，从而在半导体IC封装的四个侧面和顶面上高效地沉积作为具有均匀厚度的电磁干扰(EMI)屏蔽膜的金属膜。

根据本公开的实施方式，提供了一种用于在三维物体的表面上沉积金属膜的设备，该设备包括：安装鼓，该安装鼓可旋转地设置在腔室内部并且包括圆周表面，多个三维物体被安放并安装到该圆周表面上，从而使其要经受沉积的每个表面被暴露于外部；以及至少一个源靶，该至少一个源靶通过溅射使金属膜沉积到安装到安装鼓的三维物体的表面上。

这里，三维物体可以是半导体集成电路(IC)封装，并且金属膜可以是沉积在半导体IC封装的封装表面上的电磁干扰(EMI)屏蔽膜，封装表面包括四个侧面和顶面。

此外，安装鼓可以被成形为类似具有多个安装表面的多边形容器，并且可以将多个三维物体安装到安放并设置在安装鼓的安装表面上的夹具。

附图说明

根据结合附图进行的示例性实施方式的以下描述，本公开的以上和/或其它方面将变得显而易见并更容易地理解，在附图中：

图1是根据本公开的实施方式的用于在三维物体的表面上沉积金属膜的设备的示意截面图；

图2是示出了根据本公开的三维物体(即，半导体集成电路(IC)封装)和沉积在该三维物体的表面上的金属膜的示意截面图；

图3是示出了根据本公开的实施方式的用于在三维物体的表面上沉积金属膜的设备中的夹具的平面图；