[发明专利]集流体及其制备方法、负电极以及二次电池在审
| 申请号： | 201910915966.0 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110620238A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 刘国华;陆子恒;羿井司;杨铮;陈佳华;李诚;刘宇;杨春雷 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01M4/66 | 分类号： | H01M4/66;H01M4/13;H01M10/052 |
| 代理公司： | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二次电池 集流体 铜片 激光扫描辐照 激光诱导 库伦效率 四周侧壁 循环寿命 负电极 石墨烯 制备 应用 | ||
1.一种集流体，包括铜片本体以及形成在铜片本体上的PI膜层，其特征在于，所述PI膜层经由激光扫描辐照划分为多个相互间隔的PI单元，每一所述PI单元的四周侧壁形成有激光诱导石墨烯。
2.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，所述多个相互间隔的PI单元在所述铜片本体上呈矩阵阵列排布。
3.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，所述铜片本体为铜箔，其厚度为10μm～20μm。
4.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，所述PI膜层的厚度为50μm～70μm。
5.一种如权利要求1-4任一所述的集流体的制备方法，其特征在于，包括：
提供铜片本体并在所述铜片本体上制备形成PI膜层；
对所述PI膜层进行激光扫描辐照，将所述PI膜层划分为多个相互间隔的PI单元，并且每一所述PI单元的四周侧壁形成有激光诱导石墨烯。
6.根据权利要求5所述的集流体的制备方法，其特征在于，进行激光扫描辐照的工艺条件为：激光功率密度为60W/cm2～95W/cm2，扫描速度为2cm/s～4cm/s，扫描间距为400μm～800μm。
7.根据权利要求6所述的集流体的制备方法，其特征在于，分别沿相互垂直的第一方向和第二方向对所述PI膜层进行激光扫描辐照，以使形成的多个相互间隔的PI单元在所述铜片本体上呈矩阵阵列排布。
8.根据权利要求7所述的集流体的制备方法，其特征在于，沿所述第一方向和/或第二方向对所述PI膜层进行激光扫描辐照的次数为3～8次。
9.一种负电极，其特征在于，包括如权利要求1-4任一所述的集流体。
10.一种二次电池，其特征在于，包括如权利要求9所述的负电极。
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