[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，将衬底分为第一部分和第二部分；

在所述衬底上依次形成第一介质层、浮栅层、第二介质层和控制栅层；

依次刻蚀所述第一部分衬底上的部分控制栅层、部分第二介质层、部分浮栅层和部分第一介质层露出所述衬底表面，形成多组并排的引出结构，每组所述引出结构包括两个引出条和三个控制栅连接电极，三个所述控制栅连接电极分别连接在所述两个引出条的外侧和所述两个引出条之间，每一个所述引出条连接所述第二部分的一端的横截面尺寸大于另一端，相邻的两组所述引出结构的控制栅连接电极错开布置；

在所述第二部分形成多列栅极结构组成存储单元，每列所述栅极结构对应一个所述引出条，每列所述栅极结构的横截面尺寸大于所述引出条的横截面的尺寸较小一端的尺寸。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，相邻的两个所述引出条以相邻的引出条的中心线对称。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述控制栅连接电极为长方形的形状。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述引出条分为第一条边、第二条边、第三条边和第四条边，第一条边一端连接第二部分，第一条边另一端连接第二条边，第一条边和第二条边不在一条直线上即第一条边和第二条边形成的角不为180度，第三条边垂直于第二条并连接第二条边，第四条边垂直于第三条边并连接第三条边和第二部分。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，依次刻蚀所述第二部分的部分控制栅层、部分第二介质层、部分浮栅层和部分第一介质层露出所述衬底表面形成栅极结构的控制栅、第二介质、浮栅和第一介质，再形成位于所述第一介质上并且位于所述控制栅和所述控制栅之间的字线以及形成所述字线与所述控制栅之间的第三介质。

6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，每一列所述栅极结构位于所述引出条的延长线上，所述控制栅连接所述控制栅连接电极。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述栅极结构每相邻两列分为一个扇区，所述存储单元还包括位于所述衬底内的位线，同一个所述扇区的两列所述栅极结构之间共用同一位线。

8.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀控制栅层、第二介质层、浮栅层和第一介质层露出所述衬底表面方法为干法刻蚀。