[发明专利]ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台

说明书

本申请公开了一种ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台，该方法包括：对硅片进行刻蚀；将刻蚀过的硅片固定在ICPMS扫描平台；使VPD液滴在硅片表面滚动，收集硅片表面的金属成份，通过倾斜硅片利用VPD液滴的重力降低VPD液滴在硅片表面的残留；将VPD液滴雾化后进行光谱分析，计算得到VPD液滴中的金属成份含量。本申请通过在ICPMS测试过程中，使VPD液滴在硅片表面滚动收集硅片表面的金属成份时，通过倾斜硅片利用VPD液滴的重力降低了VPD液滴在硅片表面的残留，提高了ICPMS测试的测试结果的准确性和稳定性。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体制造中的ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台。

背景技术

目前，半导体制造行业正逐渐向更高的运行速度，更小的器件尺寸方向发展，随着半导体器件尺寸的不断缩小，芯片中的元件密度也不断增加。然而，在半导体的制造过程中的元素污染问题会导致半导体器件的缺陷，作为半导体制造工艺中的原材料，硅片的表面金属成分将直接影响器件加工的合格率。鉴于此，目前半导体制造工艺中，通常使用电感耦合等离子体质谱(Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry，ICPMS)测试对硅片表面的金属成分进行检测。

相关技术中，ICPMS测试主要分三个步骤：S1，对硅片表层膜质进行刻蚀，使膜质里的金属成份游离在硅片表面；S2，在ICPMS设备的扫描(Pad scan)平台上，通过扫描管吸附化学气相分解(Vapor Phase decomposition，VPD)液滴在硅片表面滚动来收集硅片表面的金属成份；S3，将包含金属成份的VPD液滴雾化后进行光谱分析，从而计算得到VPD液滴中的各种金属成份的含量。

然而在相关技术中提出的ICPMS测试方法中的步骤S2中，由于硅片表面有一定程度的亲水现象，导致VPD液滴在滚动时会在硅片表面形成拖尾和残留，导致VPD液滴收集不完整，从而在一定程度上导致ICPMS测试的结果的准确性和稳定性较差。

发明内容

本申请提供了一种ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台，可以解决相关技术中提供的ICPMS测试方法的测试结果准确性和稳定性较差的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种ICPMS测试方法，包括：

对硅片进行刻蚀；

将刻蚀过的硅片固定在ICPMS扫描平台；

使VPD液滴在所述硅片表面滚动，收集所述硅片表面的金属成份，通过倾斜所述硅片利用所述VPD液滴的重力降低所述VPD液滴在所述硅片表面的残留；

将所述VPD液滴雾化后进行光谱分析，计算得到所述VPD液滴中的金属成份含量。

可选的，所述使VPD液滴在所述硅片表面滚动，收集所述硅片表面的金属成份，包括：

将所述VPD液滴滴在所述硅片的中心；

通过扫描管吸附所述VPD液滴；

升起所述ICPMS扫描平台的基座，倾斜所述硅片；

使所述硅片和所述扫描管做相对运动，收集所述硅片表面的金属成份；

降落所述ICPMS扫描平台的基座，使所述硅片回复至水平。

可选的，所述使所述硅片和所述扫描管做相对运动，包括：

使所述硅片和所述扫描管做相对运动，使所述VPD液滴在所述硅片上呈螺旋运动轨迹从所述硅片的中心滚动至所述硅片的边缘。

可选的，使所述硅片和所述扫描管做相对运动，包括：

使所述硅片绕所述硅片的圆心做顺时针圆周运动，使所述扫描管绕所述扫描管的转动轴做逆时针圆周运动；或者，