[发明专利]一种高Q值微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法及高Q值微波介质陶瓷制备方法

说明书

本发明涉及陶瓷与铝超低温共烧方法及陶瓷制备方法，更具体的说是一种高Q微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法及高Q微波介质陶瓷制备方法，采用放电等离子烧结SPS工艺对高Q微波介质陶瓷与铝之间的进行快速超低温共烧，将CuMoO₄陶瓷粉体与溶剂充分混合，依次加入分散剂、粘结剂、增塑剂和消泡剂，继续混合8～12小时，得到CuMoO₄的流延浆料；CuMoO₄的流延浆料采用流延成型工艺制备CuMoO₄生瓷带；CuMoO₄生瓷带进行剪裁，剪裁完成的CuMoO₄生瓷带采用丝网印刷工艺用铝浆印刷电路；对丝网印刷工艺完成的CuMoO₄生瓷带进行叠压和排胶，并装入电等离子烧结SPS模具中；该高Q微波介质陶瓷在600℃以下，仅需3～5分钟即可实现与铝共烧，大幅降低了多层微波组件的烧结温度和烧结时间。

技术领域

本发明涉及陶瓷与铝超低温共烧方法及陶瓷制备方法，更具体的说是一种高Q值微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法及高Q值微波介质陶瓷制备方法。

背景技术

现代通讯技术亟需发展具有低介电损耗和低烧结温度的微波介质陶瓷。与此同时，在通讯设备小型化、便携化和多功能化的发展趋势下，对电子元器件集成化、模块化以及低成本的要求越来越迫切。基于低温共烧陶瓷LTCC技术发展起来的多层结构设计是实现元器件集成化的重要手段。然而，主流的LTCC技术的烧结温度仍在800～950℃之间，并且往往与贵金属银之间共烧，这大大提高了元器件的制备成本。因此，研究者们逐渐将目光集中在具有超低烧结温度，超低烧结温度为＜700℃的温度，且能与铝等贱金属发生共烧的微波介质陶瓷上来，以大幅降低元器件的制备成本，如何使得高Q值微波介质陶瓷与铝在＜700℃的温度下共烧成为近几年电子材料研究的热点之一。

发明内容

本发明的目的是提供一种高Q值微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法及高Q 值微波介质陶瓷制备方法，该高Q值微波介质陶瓷在600℃以下，仅需3～5分钟即可实现与铝共烧，大幅降低了多层微波组件的烧结温度和烧结时间。

本发明的目的通过以下技术方案来实现：

一种高Q值微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法，采用放电等离子烧结SPS 工艺对高Q值微波介质陶瓷与铝之间的进行快速超低温共烧。

作为本技术方案的进一步优化，本发明一种高Q值微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法，该制备方法包括以下步骤：

步骤一：将CuMoO₄陶瓷粉体与溶剂充分混合，依次加入分散剂、粘结剂、增塑剂和消泡剂，继续混合8～12小时，得到CuMoO4的流延浆料；

步骤二：CuMoO₄的流延浆料采用流延成型工艺制备CuMoO₄生瓷带；

步骤三：CuMoO₄生瓷带进行剪裁，剪裁完成的CuMoO₄生瓷带采用丝网印刷工艺用铝浆印刷电路；

步骤四：对丝网印刷工艺完成的CuMoO₄生瓷带进行叠压和排胶，并装入电等离子烧结SPS模具中；

步骤五：采用电等离子烧结SPS工艺对其进行共烧，共烧后随炉冷却后脱模，得到与铝共烧的高Q值微波介质陶瓷。

作为本技术方案的进一步优化，本发明一种高Q值微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法，所述共烧温度为475～600℃，压力为10～40MPa，时间为3～5分钟。

作为本技术方案的进一步优化，本发明一种高Q值微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法，所述排胶温度为280～550℃，时间为1～3小时。