[发明专利]基于微纳半波片的振幅型光栅的制作方法

权利要求书

1.一种基于微纳半波片的振幅型光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

构建纳米砖结构单元，优化得到以工作波长入射时其功能等效为半波片的纳米砖结构单元的结构参数，其中，所述纳米砖结构单元包括透明基底以及设置在所述基底工作面上的纳米砖，以平行于所述工作面的两条边的方向分别设为x轴和y轴建立xoy坐标系，所述纳米砖上与所述工作面平行的面上具有长轴L和短轴W，所述纳米砖的转向角为所述纳米砖的长轴L与x轴的夹角θ；

构建纳米砖结构阵列，所述纳米砖结构阵列包括多个纳米砖结构单元，所述纳米砖结构阵列中各所述纳米砖的尺寸以及两两相邻的所述纳米砖之间的中心间隔均相同，以偏振方向沿x轴或y轴的线偏振光垂直入射所述纳米砖结构阵列后再经过检偏方向与入射线偏振光方向平行的检偏器后，得出入射线偏振光经过所述纳米砖结构单元和所述检偏器后其振幅变化量与两倍的纳米砖转向角θ存在余弦关系，然后根据所要加工的光栅要求的振幅调制分布以及得到的振幅变化量与两倍的纳米砖转向角θ之间的余弦关系确定每个纳米砖结构单元中的纳米砖转向角θ，将所述纳米砖结构阵列中的每个所述纳米砖结构单元上的所述纳米砖按得到的各位置处对应的纳米砖转向角θ进行排布，从而获得振幅型光栅。

2.如权利要求1所述的基于微纳半波片的振幅型光栅的制作方法，其特征在于，优化得到所述纳米砖结构单元的结构参数的方法为：以采用偏振方向相互垂直的两束线偏振光同时垂直于所述工作面入射时，两束线偏振光透过率相同且相位差等于π为优化目标，在工作波长下，通过电磁仿真优化得到目标所需的所述纳米砖结构单元的结构参数。

3.如权利要求2所述的基于微纳半波片的振幅型光栅的制作方法，其特征在于，所述纳米砖结构单元的结构参数包括所述工作面边长C以及所述纳米砖的长轴L、短轴W和高H的尺寸。

4.如权利要求1所述的基于微纳半波片的振幅型光栅的制作方法，其特征在于，所述透明基底由熔融石英玻璃材料制成，所述纳米砖由电介质材料制成。

5.一种如权利要求1-4任意一项所述的基于微纳半波片的振幅型光栅的制作方法制得的振幅型光栅。