[发明专利]一种存储单元、NAND闪存架构及其形成方法

权利要求书

1.一种存储单元，其特征在于，包括多个存储结构，所述存储结构包括：第一介质层、位于所述第一介质层上的第一浮栅层、位于所述第一浮栅层上的第二介质层、位于所述第二介质层上的第二浮栅层、位于所述第二浮栅层上的第三介质层以及位于所述第三介质层上的控制栅层。

2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一浮栅层的厚度小于所述第二浮栅层的厚度。

3.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，多个所述存储结构之间通过浅沟槽隔离进行隔离。

4.一种NAND闪存架构，其特征在于，包括：

基底、位于所述基底上的如权利要求1-3任一项所述的存储单元、选择管区、金属孔区和浅沟槽隔离，所述选择管区位于所述存储单元的外围，所述金属孔区位于所述选择管区的外围，所述浅沟槽隔离隔离所述存储单元与所述选择管区以及所述选择管区与所述金属孔区。

5.如权利要求4所述的NAND闪存架构，其特征在于，所述选择管区包括多个选择管，所述选择管包括：位于所述基底上的第一介质层、位于所述第一介质层上的第一浮栅层、位于所述第一浮栅层上的第二浮栅层、位于所述第二浮栅层上的控制栅层，所述第一浮栅层和所述第二浮栅层通过所述第二介质层部分隔离，所述控制栅层嵌入所述第二浮栅层。

6.如权利要求4所述的NAND闪存架构，其特征在于，所述金属孔区包括多个填充有金属的金属孔，所述金属孔与所述基底连接。

7.如权利要求6所述的NAND闪存架构，其特征在于，所述填充金属包括钨。

8.一种NAND闪存架构的形成方法，其特征在于，用于制造如权利要求4-7中任一项所述的NAND闪存架构，包括以下步骤：

提供一基底，在所述基底上依次沉积第一介质层、第一浮栅层、第二介质层、第二浮栅层、第三介质层以及控制栅层；

刻蚀所述控制栅层、第三介质层、第二浮栅层、第二介质层和第一浮栅层形成存储单元。

9.如权利要求8所述的NAND闪存架构的形成方法，其特征在于，所述NAND闪存架构的形成方法还包括：形成位于所述存储单元外围的选择管。

10.如权利要求9所述的NAND闪存架构的形成方法，其特征在于，所述NAND闪存架构的形成方法还包括：形成位于所述选择管区外围的金属孔。