[发明专利]一种具有大键合力的三维异构焊接方法有效
| 申请号: | 201910905503.6 | 申请日: | 2019-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN110690131B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
| 发明(设计)人: | 郁发新;冯光建;王永河;马飞;程明芳 | 申请(专利权)人: | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
| 地址: | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 合力 三维 焊接 方法 | ||
1.一种具有大键合力的三维异构焊接方法,其特征在于:具体包括如下步骤:
101)第一载板制作步骤:第一载板上表面通过物理溅射,磁控溅射或者蒸镀工艺制作种子层;种子层上涂布第一层光刻胶,通过显影工艺去除部分种子层露出待电镀区域,电镀金属形成金属柱,且金属柱上表面为平面;
102)再次处理步骤:在步骤101)处理的第一载板上表面涂布第二层光刻胶,曝光显影露出金属柱的部分,再电镀金属去除光刻胶,得到带有凸起的凸点或焊圈,即金属柱顶部露出的区域形成凹槽;
103)镀锡步骤:去除第二层光刻胶电镀锡或在电镀金属区域直接进行焊锡,去除第二层光刻胶、第一层光刻胶和种子层;
104)第二载板制作步骤:第一载板上表面通过物理溅射,磁控溅射或者蒸镀工艺制作种子层;种子层上涂布第一层光刻胶,通过显影工艺去除部分种子层露出待电镀区域,电镀金属形成金属柱,且金属柱上表面为平面;在第二载板上表面再涂布第二层光刻胶,曝光显影露出金属柱的部分,再电镀金属去除光刻胶,得到与第一载板相适应的凸台结构;
去除第二层光刻胶电镀锡或在电镀金属区域直接进行焊锡,去除第二层光刻胶、第一层光刻胶和种子层;涂助焊剂,回流后清洗助焊剂得到载板上表面带有焊锡层的结构;
105)键合步骤:通过表面贴装工艺把第一载板和第二载板的表面贴装,使第一载板和第二载板上的凹槽和凸台结构匹配,形成增大键合力的三维异构结构;
种子层本身结构为一层或多层结构,厚度范围都在1nm到100um,材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合;
金属柱厚度范围在1nm到100um,金属柱本身结构是一层或多层结构,材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍、镓金属合金中的一种或多种混合;
凹槽的深度范围在1nm到100um,宽度范围在1um到1000um之间;
第一载板、第二载板设置种子层前先设置垫层,且第一载板、第二载板的垫层分别设置成凸台和凹槽形;
垫层为沉积氧化硅或者氮化硅,或者直接热氧化形成的绝缘层;或者通过物理溅射,磁控溅射或者蒸镀工艺在表面制作种子层作为垫层;或者电镀金属层作为垫层;或者垫层采用金属无机物多层堆叠而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





