[发明专利]一种用于MCU芯片的电源管理电路及方法有效

专利信息
申请号: 201910905121.3 申请日: 2019-09-24
公开(公告)号: CN110673712B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 唐成伟 申请(专利权)人: 上海灵动微电子股份有限公司
主分类号: G06F1/26 分类号: G06F1/26
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 代理人: 刘秋香
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 mcu 芯片 电源 管理 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种用于MCU芯片的电源管理电路,其特征在于,包括:

第一电源模块,用于提供第一电压电源,所述第一电压电源给处于休眠状态的MCU芯片供电;

第二电源模块,用于提供第二电压电源,所述第二电压电源给处于非休眠状态的MCU芯片供电;

电源管理模块,与所述第一电源模块电连接,采用低压逻辑设计,工作在低压域,用于控制电源模式的切换;

电平转换模块,分别与所述电源管理模块的输出端、所述第一电源模块的输出端、所述第二电源模块的输入端电连接,用于当所述第一电压电源无效时,输出有效的高压使能信号;

所述第二电源模块,进一步用于当所述高压使能信号有效时,产生所述第二电压电源;

开关单元,分别与所述第二电源模块的输出端和所述第一电源模块的输出端电连接,用于当所述第二电压电源有效时,所述开关单元导通,将所述第二电压电源与所述第一电压电源短路。

2.根据权利要求1所述的电源管理电路,其特征在于:

所述第一电源模块相对所述第二电源模块,启动时间长,功耗低;所述第一电压电源和第二电压电源均为低压电源,且所述第二电压电源的电压等于所述第一电压电源的电压。

3.根据权利要求1所述的电源管理电路,其特征在于:

所述电源管理模块,进一步用于当所述第一电压电源有效时,生成低压使能信号;

所述电平转换模块,进一步用于当所述第一电压电源有效时,将所述低压使能信号转换成对应的高压使能信号;

所述第二电源模块,进一步用于当所述高压使能信号无效时,停止产生第二电压电源。

4.根据权利要求3所述的电源管理电路,其特征在于,所述电平转换模块包括:

中间电平产生电路,用于在第一电压电源下,将所述低压使能信号经过第一低压反相器,得到第一反相信号;所述第一反相信号经过第二低压反相器,得到第一同相信号;

电平转换电路,工作在外部高压电源下,包括反相下拉电路、同相下拉电路、正反馈电路、上拉耦合电路;

所述反相下拉电路的输入端用于接入所述第一反相信号,所述同相下拉电路的输入端用于接入所述第一同相信号;

所述正反馈电路分别与所述反相下拉电路的输出端和所述同相下拉电路的输出端电连接,所述正反馈电路的同相输出端通过所述上拉耦合电路连接外部高压电源。

5.根据权利要求4所述的电源管理电路,其特征在于,所述电平转换模块还包括:

输出缓冲电路,与所述正反馈电路的同相输出端相连,通过两个串联的反相器得到所述高压使能信号。

6.根据权利要求4所述的电源管理电路,其特征在于:

所述同相下拉电路包括MOS管M6,所述MOS管M6的栅极与所述第一同相信号相连,所述MOS管M6的源极接地;

所述反相下拉电路包括MOS管M5,所述MOS管M5的栅极与所述第一反相信号相连,所述MOS管M5的源极接地;

所述正反馈电路包括MOS管M1、M2、M3、M4,所述MOS管M1与M3构成第一高压反相器,所述MOS管M2与M4构成第二高压反相器,所述第一高压反相器的输入端与所述第二高压反相器的输出端相连,所述第一高压反相器的输出端与所述第二高压反相器的输入端相连,所述第一高压反相器的输出端构成所述正反馈电路的同相输出端;所述MOS管M3的漏级与所述MOS管M5的漏级相连,所述MOS管M4的漏级与所述MOS管M6的漏级相连。

7.根据权利要求6所述的电源管理电路,其特征在于:

所述上拉耦合电路包括MOS管M7,所述MOS管M7的源极和漏级接外部高压电源,所述MOS管M7的栅极与所述正反馈电路的同相输出端相连。

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