[发明专利]光掩模坯料及其制造方法

权利要求书

1.一种光掩模坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，

其特征在于，

在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成含有羟基苯乙烯系树脂的前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度。

2.如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在形成前述含硅无机膜时，将与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度制成55原子％以上且75原子％以下。

3.如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在前述透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行热处理、臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，由此形成前述含硅无机膜。

4.如权利要求2所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在前述透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行热处理、臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，由此形成前述含硅无机膜。

5.如权利要求3所述的光掩模坯料的制造方法，其中，利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含有硅的无机膜。

6.如权利要求4所述的光掩模坯料的制造方法，其中，利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含有硅的无机膜。

7.如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含硅无机膜。

8.如权利要求2所述的光掩模坯料的制造方法，其中，利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含硅无机膜。

9.如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化处理中，使用六甲基二硅氮烷进行处理。

10.如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，将前述含硅无机膜制成还含有氧、氮中的任一种以上的元素。

11.如权利要求10所述的光掩模坯料的制造方法，其中，将前述含硅无机膜设为SiO膜或SiON膜。

12.一种光掩模坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，

其特征在于，

在前述透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，由此形成前述含硅无机膜，然后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成含有羟基苯乙烯系树脂的前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。

13.如权利要求12所述的光掩模坯料的制造方法，其中，利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含有硅的无机膜。

14.如权利要求12所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化处理中，使用六甲基二硅氮烷进行处理。

15.如权利要求12所述的光掩模坯料的制造方法，其中，将前述含硅无机膜制成还含有氧、氮中的任一种以上的元素。

16.如权利要求15所述的光掩模坯料的制造方法，其中，将前述含硅无机膜设为SiO膜或SiON膜。