[发明专利]具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，包含：

一基板；

一电极层，具有数个电极，并形成于该基板上，以定义数个像素；

数个微发光二极管，个别粘着于该电极上；及

一黑矩阵防散色层，以黑色负型光阻形成于该数个微发光二极管之间的间隔处，该黑矩阵防散色层构成数个像素空间，以容置该数个像素。

2.如权利要求1所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该黑矩阵防散色层的厚度相等于该电极层与该微发光二极管所加起来的厚度。

3.如权利要求2所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该黑矩阵防散色层上方为粗糙化。

4.如权利要求1所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该黑矩阵防散色层的厚度相较于该电极层与该微发光二极管所加起来的厚度为薄，且该黑矩阵防散色层的厚度小于5um且大于1um。

5.如权利要求4所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该黑矩阵防散色层上方为粗糙化。

6.如权利要求1所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该黑矩阵防散色层所构成的该像素空间的宽度大于该微发光二极管的宽度至多20um。

7.如权利要求1所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该黑矩阵防散色层所构成的该像素空间的宽度大于该微发光二极管的宽度至少10um，至多20um。

8.一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包含：

于完成巨量转移的一微发光二极管基板上形成一负型光阻层；

以一光罩对该负型光阻层进行曝光，曝光部位为该微发光二极管基板中数个微发光二极管之间的间隔处；

移除未被曝光的该负型光阻层，被曝光的该负型光阻层构成一黑矩阵结构；及

固化该黑矩阵结构。

9.如权利要求8所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，该负型光阻层的厚度相等于该微发光二极管的高度。

10.如权利要求8所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，该负型光阻层的厚度小于该微发光二极管的高度，该负型光阻层的厚度小于5um且大于1um。

11.如权利要求10所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，于曝光步骤后，还包含：

粗糙化该负型光阻层。

12.一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包含：

于一基板上形成一负型光阻层；

以一光罩对该负型光阻层进行曝光，曝光部位为定义的数个微发光二极管之间的间隔处；

移除未被曝光的该负型光阻层，被曝光的该负型光阻层构成一黑矩阵结构，并构成数个像素空间，该像素空间的尺寸大于该微发光二极管的尺寸；

固化该黑矩阵结构；

于该数个像素空间中制作电极层；及

将微发光二极管巨量转移至该数个像素空间中。

13.如权利要求12所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，该负型光阻层的厚度相等于该微发光二极管的高度。

14.如权利要求12所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，该负型光阻层的厚度小于该微发光二极管的高度，且该负型光阻层的厚度小于5um且大于1um。