[发明专利]图像传感器器件及其操作方法有效
申请号: | 201910903981.3 | 申请日: | 2019-09-24 |
公开(公告)号: | CN110943099B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 郑允玮;周俊豪;李国政;陈信吉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 器件 及其 操作方法 | ||
1.一种图像传感器器件,包括:
多个第一像素,每个所述第一像素配置为具有第一量子效率;以及
多个第二像素,其中,每个所述第二像素配置为具有低于所述第一量子效率的第二量子效率,
其中,每个所述第二像素均包括第一光敏部分和位于所述第一光敏部分下方的第二光敏部分,并且所述第一光敏部分比所述第二光敏部分窄。
2.根据权利要求1所述的图像传感器器件,其中,所述第一像素的数量是所述第二像素的数量的至少2倍。
3.根据权利要求1所述的图像传感器器件,其中:
所述图像传感器器件还包括具有多个开口的金属栅格,所述多个开口包括多个第一开口和多个第二开口,其中,光配置为通过所述多个开口中的每个;
每个所述第一像素与所述金属栅格的相应的第一开口至少部分地对准;并且
每个所述第二像素与所述金属栅格的相应的第二开口至少部分地对准。
4.根据权利要求3所述的图像传感器器件,其中,每个所述第一开口的横向尺寸大于每个所述第二开口的横向尺寸。
5.根据权利要求3所述的图像传感器器件,其中,每个所述第一像素的掺杂浓度水平不同于每个所述第二像素的掺杂浓度水平。
6.根据权利要求3所述的图像传感器器件,其中,每个所述第一像素的尺寸大于每个所述第二像素的尺寸。
7.根据权利要求1所述的图像传感器器件,其中:
每个所述第一像素包括第一滤色器;并且
每个所述第二像素包括第二滤色器,所述第二滤色器比所述第一滤色器对光更具吸收性。
8.根据权利要求7所述的图像传感器器件,其中:
所述第一滤色器包括红色滤色器、蓝色滤色器或绿色滤色器;并且
所述第二滤色器包括不同于红色滤色器、蓝色滤色器或绿色滤色器的滤色器。
9.根据权利要求1所述的图像传感器器件,还包括:控制器,配置为以如下方式选择性地激活每个所述第一像素和每个所述第二像素:使得以比每个所述第一像素更低的频率激活每个所述第二像素。
10.一种图像传感器器件,包括:
第一数量的第一像素,设置在衬底中;
第二数量的第二像素,设置在所述衬底中,其中,所述第一数量等于所述第二数量;
光阻挡结构,设置在所述第一像素和所述第二像素上方,其中,所述光阻挡结构限定多个第一开口和第二开口,光能够通过所述第一开口和所述第二开口,其中,所述第一开口设置在所述第一像素上方,其中,所述第二开口设置在所述第二像素上方,并且其中,所述第二开口小于所述第一开口;以及
微控制器,配置为在不同的时间点导通不同的所述第二像素,
其中:
每个所述第二像素均包括第一光敏部分和第二光敏部分;以及
所述第一光敏部分比所述第二光敏部分窄且比所述第二光敏部分更接近于所述光阻挡结构。
11.根据权利要求10所述的图像传感器器件,其中,所述微控制器配置为导通不同的所述第二像素,使得:
所述第二像素的第一子集导通,同时所述第二像素的第二子集关闭;以及
所述第二像素的所述第一子集关闭,同时所述第二像素的所述第二子集导通。
12.根据权利要求10所述的图像传感器器件,其中:
每个所述第一像素比每个所述第二像素更重掺杂;或者
每个所述第一像素的尺寸大于每个所述第二像素的尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的