[发明专利]衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法在审
| 申请号: | 201910903922.6 | 申请日: | 2019-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN110970344A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
| 发明(设计)人: | S·K·T·R·穆拉利德哈尔;S·金;J·B·罗宾森;J·K·小威尔森;N·V·松杰 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/673 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 丁晓峰 |
| 地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 保持 设备 包含 系统 及其 使用方法 | ||
1.一种衬底保持设备,所述衬底保持设备包括:
底板;
至少一个侧壁,其联接到所述底板,其中所述至少一个侧壁包括至少一个冷却流体管道,所述至少一个冷却流体管道被配置成允许冷却流体流过其中;
至少一个衬垫,其联接到所述至少一个侧壁中的一个侧壁且从所述侧壁突出,所述至少一个衬垫被配置成接收衬底;以及
至少一个热屏蔽件,其联接到所述侧壁。
2.根据权利要求1所述的衬底保持设备,所述衬底保持设备包括至少两个侧壁。
3.根据权利要求1所述的衬底保持设备,其中所述底板包括冷却流体歧管。
4.根据权利要求1所述的衬底保持设备,其中所述侧壁进一步包括至少一个气体管道。
5.根据权利要求4所述的衬底保持设备,其中所述侧壁进一步包括流体联接到所述至少一个气体管道的至少一个气体开口,其中所述至少一个气体开口在所述至少一个衬垫上方。
6.根据权利要求4所述的衬底保持设备,其中所述侧壁进一步包括流体联接到所述至少一个气体管道的至少一个气体开口,其中所述至少一个气体开口与所述至少一个衬垫齐平和/或低于所述至少一个衬垫。
7.根据权利要求1所述的衬底保持设备,所述衬底保持设备进一步包括联接到所述至少一个衬垫中的一个衬垫和所述侧壁的衬垫安装件。
8.根据权利要求1所述的衬底保持设备,其中所述至少一个热屏蔽件包括镍。
9.根据权利要求1所述的衬底保持设备,其中所述至少一个热屏蔽件包括反射性涂层。
10.根据权利要求1所述的衬底保持设备,其中所述至少一个热屏蔽件包括发射性材料。
11.根据权利要求1所述的衬底保持设备,其中所述至少一个热屏蔽件包括碳化硅和不锈钢中的一种或多种。
12.根据权利要求1所述的衬底保持设备,所述衬底保持设备包括联接到所述侧壁的多个衬垫和联接到所述侧壁的多个热屏蔽件,其中所述多个衬垫与所述多个热屏蔽件呈交替配置。
13.根据权利要求1所述的衬底保持设备,其中所述衬底保持设备被配置成保持约1到约25个衬底。
14.根据权利要求1所述的衬底保持设备,其中所述至少一个衬垫包括石英。
15.根据权利要求1所述的衬底保持设备,其中所述至少一个热屏蔽件固定地联接到所述侧壁。
16.根据权利要求1所述的衬底保持设备,其中所述衬底保持设备包括约2到约25个之间的热屏蔽件。
17.一种负载锁组件,所述负载锁组件包括根据权利要求1至16中任一项所述的衬底保持设备。
18.根据权利要求17所述的负载锁组件,所述负载锁组件进一步包括轴和在所述轴内的冷却流体管线。
19.一种反应器系统,所述反应器系统包括根据权利要求1至16中任一项所述的衬底保持设备。
20.根据权利要求19所述的反应器系统,所述反应器系统包括多个根据权利要求1至16中任一项所述的保持设备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司,未经ASMIP控股有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910903922.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:液体喷射头和液体喷射系统
- 下一篇:电池组、电池系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





