[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的第一面中形成深沟槽；

利用中间材料填充所述深沟槽，以形成中间扩散部，其中所述中间材料具有掺杂剂，所述掺杂剂的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同；以及

使所述掺杂剂离子扩散到所述深沟槽的侧壁中，形成掺杂层。

2.根据权利要1所述的方法，其特征在于，其中：

通过热处理使所述掺杂剂离子扩散到所述深沟槽的侧壁中。

3.根据权利要1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述衬底中被所述深沟槽相互隔离的区域中形成辐射感测部，其中所述深沟槽用于隔离相邻的辐射感测部；以及

在所述衬底的第一面上形成下列中的至少一个：

栅极绝缘层；

栅极层；

层间绝缘层；以及

布线层。

4.根据权利要1所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成所述中间扩散部之后，在所述衬底中形成浅沟槽，所述浅沟槽使得所述深沟槽中的所述中间扩散部的一部分被去除；

利用绝缘材料填充所述浅沟槽，形成浅沟槽隔离部。

5.根据权利要1或4所述的方法，其特征在于，从所述衬底的与第一面相对的第二面：

减薄第二面的表面，以露出所述中间扩散部；

去除所述中间扩散部，以形成凹陷；以及

在所述凹陷中形成介质层。

6.根据权利要5所述的方法，其特征在于：

所述介质层形成在所述凹陷的表面上；并且

所述介质层在所述凹陷的在所述第二面的开口处形成悬垂部，所述悬垂部用于在所述凹陷内形成封闭的气体隔离区。

7.根据权利要6所述的方法，其特征在于：

所述介质层至少包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层在所述凹陷的表面与所述第二介质层之间。

8.根据权利要7所述的方法，其特征在于：

所述第一介质层包括二氧化硅；

所述第二介质层包括高介电常数材料。

9.根据权利要5述的方法，其特征在于：

通过原子层沉积形成所述介质层。

10.根据权利要1所述的方法，其特征在于：

所述衬底是P型衬底，所述中间材料为硼硅玻璃，并且所述掺杂剂是硼。