[发明专利]一种全二维三元复合物g-C

权利要求书

1.一种全二维三元复合物g-C₃N₄/MoS₂/SnS₂可见光响应光催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)MoS₂纳米片合成

按摩尔比1～3:15～25:1～3将水合钼酸钠：硫代乙酰胺：水合硅钨酸溶解在去离子水中配成浓度为0.1～0.2mo/L并磁力搅拌至完全溶解，然后将混合溶液加热到200～250℃下保持20～25h然后自然冷却至室温，反应产物离心分散并用去离子水和乙醇清洗数遍得到黑色前驱物，烘干得到MoS₂纳米片；

(2)MoS₂/SnS₂复合纳米片合成

将MoS₂溶解在去离子水中，然后加入水合氯化锡和柠檬酸，放置1～2h，再加入硫脲并磁力搅拌至少30min，所述水合氯化锡：柠檬酸：硫脲的摩尔比为1～2：4～6：7～9，将混合溶液加热到180～200℃下保持10～14小时然后自然冷却至室温，反应产物离心分散并用去离子水和乙醇清洗数遍后，其烘干得到MoS₂/SnS₂复合纳米片；

(3)片状g-C₃N₄制备

将尿素以3～5℃/分钟的升温速率加热到500～600℃保温3～4h，冷却至室温后收集浅黄色粉末，然后将粉末溶解并超声处理，块状剥离得到片状g-C₃N₄；

(4)三元复合物g-C₃N₄/MoS₂/SnS₂的合成

将MoS₂/SnS₂复合纳米片与片状g-C₃N₄按照质量比1～3:7～9混合后，加入去离子水中超声处理2～4h，并在120～180℃下加热4～6h，反应产物离心分散并用去离子水和乙醇清洗数遍后烘干得到三元复合物g-C₃N₄/MoS₂/SnS₂的纳米片。

2.根据权利要求1所述的一种全二维三元复合物g-C₃N₄/MoS₂/SnS₂可见光响应光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，混合溶液在转移至反应釜中再加热到200～250℃。

3.根据权利要求1所述的一种全二维三元复合物g-C₃N₄/MoS₂/SnS₂可见光响应光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)和步骤(2)中，在70℃下烘干得到纳米片。

4.根据权利要求1所述的一种全二维三元复合物g-C₃N₄/MoS₂/SnS₂可见光响应光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，将尿素放入带盖的坩埚，然后再转移到高温炉中加热至500～600℃。

5.根据权利要求1所述的一种全二维三元复合物g-C₃N₄/MoS₂/SnS₂可见光响应光催化剂的制备方法，其特征在于，所述MoS₂/SnS₂复合纳米片与片状g-C₃N₄的质量比为1:9,2:8,3:10。

6.一种使用如权利要求1所述的制备方法制得的g-C₃N₄/MoS₂/SnS₂可见光响应光催化剂。