[发明专利]一种串联磁路混合永磁体记忆电机

说明书

一种串联磁路混合永磁体记忆电机，涉及永磁体记忆电机领域。本发明是为了解决现有串联磁路混合永磁体记忆电机中，退磁电流过高、且调磁性能较低的问题。本发明所述的一种串联磁路混合永磁体记忆电机，在现有电机的基础上，每极永磁体单元中采用铷铁硼磁体和铝镍钴永磁体，相邻两个永磁体单元中的同一种材料的永磁体相邻设置。由于永磁体的特别排布，铝镍钴永磁体所需改变永磁体工作点的脉冲电流幅值更小，且铝镍钴永磁体的调磁范围更大，适用于需要电机实现高速运行的场合中。

技术领域

本发明属于永磁体记忆电机领域。

背景技术

传统的永磁电机中，使用单一的永磁体。在电机高速运行时，由于频率的升高导致电机的反电势也随之增大；当电机的速度达到一定的范围，反电势会超过电控系统的IGBT的承受峰值。为了进一步提高转速需要使用弱磁扩速技术。采用弱磁扩速的方式，当对电机的转速有很高的要求时，需要对电机施加很大的负d轴电流，但是这可能会造成永磁体的不可逆退磁。

串联磁路混合永磁体记忆电机，由高矫顽力的铷铁硼和低矫顽力的铝镍钴共同构成转子磁极，其中铷铁硼永磁体提供主要的磁场，铝镍钴永磁体起到调节磁场的作用。然而在现有技术中，每极磁场由高矫顽力的铷铁硼永磁体和低矫顽力的铝镍钴永磁体共同组成一个回路，高矫顽力的铷铁硼永磁体对低矫顽力铝镍钴永磁体的退磁起到阻碍作用，导致退磁电流过高。并且，由于铷铁硼永磁体与铝镍钴永磁体共同构成一个磁回路，使得铝镍钴永磁体磁化状态无法调节至相反方向，调磁性能较低。

发明内容

本发明是为了解决现有串联磁路混合永磁体记忆电机中，退磁电流过高、且调磁性能较低的问题，现提供一种串联磁路混合永磁体记忆电机。

一种串联磁路混合永磁体记忆电机，包括：偶数个永磁体单元、绕组、转轴、转子铁心和定子铁心，

每极永磁体单元均包括两个充磁方向相同的永磁体，两个永磁体呈“V”字形设置，

转子铁心同轴套接在转轴的外圆周上，定子铁心同轴套接在转子铁心的外圆周上，定子铁心内圆周上设有多个定子齿，绕组嵌固在多个定子齿间，转子铁心沿其轴向开有多个永磁体孔，多极永磁体单元分别嵌固在多个永磁体孔中，多极永磁体单元沿转子铁心周向均匀排布，相邻两个永磁体单元中的永磁体充磁方向相反，

每极永磁体单元中两个永磁体材料不同，相邻两个永磁体单元中的同一种材料的永磁体相邻设置。

具体的，两个永磁体分别为铷铁硼磁体和铝镍钴永磁体。

具体的，两个永磁体“V”字形夹角的角度范围为120°～135°。

进一步的，两个永磁体“V”字形夹角的角度最优值为130°。

本发明所述的一种串联磁路混合永磁体记忆电机，其所需的退磁电流更小，磁化状态调节范围能够提高10％以上。低矫顽力的铝镍钴永磁体可以调节至相反方向，在高转速情况下，使得转子内部形成一个很大的漏磁回路，转子转速提升了50％。

本发明适用于需要电机实现高速运行的场合中。

附图说明

图1为本发明所述的一种串联磁路混合永磁体记忆电机的径向截面结构示意图；

图2为一个永磁体单元中两个永磁体的示意图；

图3为未施加退磁电流时的空载磁力线分布图；

图4为施加70A退磁电流时的空载磁力线分布图；

图5为典型的电动汽车用电机的转矩转速特性曲线图。

具体实施方式