[发明专利]绝缘子及石英舟

说明书

本发明公开了一种绝缘子及石英舟，其中绝缘子，用于石英舟上电极片间的定位和绝缘，包括：绝缘子本体，具有第一端和与该第一端相对的第二端；第一定位部，在第一端和第二端各有一个，以使第一端与第一端侧电极片间，以及第二端与第二端侧电极片间脱开第一距离；其中，第一定位部外径小于绝缘子本体外径，而由所述第一距离确定出第一狭缝。依据本发明的绝缘子可有效的降低因沉积碳而倒置的绝缘性能下降问题的影响。

技术领域

本发明涉及一种绝缘子，本发明还涉及一种配有该绝缘子的石英舟。

背景技术

随着新材料产业的大发展，如石墨烯、氮化镓、碳化硅等材料已在应用端十分成熟，可应用于显示、激光投影、照明、电工电子、宇航和航天等领域，但是原材料制备成本高昂成为限制其快速推广应用的重大障碍，目前LPCVD（Low Pressure Chemical VaporDeposition，低压力化学气相沉积法）是一种生产石墨烯效率较高的生产工艺，且产品质量较高。

在石墨烯的LPCVD生长工艺过程中需要用到石墨舟，依靠石墨舟电极之间的射频放电，将气氛中的碳元素沉积到衬底上，从而获得高质量石墨烯薄膜。图1所示为一种石英舟结构，石英舟上存在多个第一电极片1和多个第二电极片6，第一电极片1与第二电极片6间相互平行并依次间隔设置。实现间隔的部件是介于相邻第二电极片6与第一电极片1之间的绝缘子4，从而使第二电极片6与第一电极片1间保持给定距离，从而获得所期望的电场强度。

已知石英舟所使用的绝缘子4多是隔套结构，其可以套装在如图1所示的固定杆2，图中有六条固定杆2，第一电极片1、隔套状的绝缘子4、第二电极片6依次穿设在固定杆2上，基于隔套状的绝缘子4的间隔，使相邻的第二电极片6与第一电极片1保持给定距离。绝缘子4的两端直接支撑在所在端的第二电极片6或第一电极片1相对的面上。LPCVD生长工艺中，由于气氛中存在碳元素，这些碳元素在工件上沉积的同时，也会在用于隔离电极片的绝缘子4表面沉积，当沉积在绝缘子4上的碳层达到一定厚度后，绝缘子4即失去绝缘性。绝缘子4导通的临界期，因电导性较差（电阻大），会在此期间产生电火花，有可能会导致电极片被烧毁。而随着碳层的逐渐增厚，绝缘子的导通性能越来越强，电极片间的电场强度越来越弱，而使的LPCVD的工艺执行时间大幅延长，并产生额外的能耗。

针对前述的绝缘子4因沉积碳而导通的问题，业内目前并无有效解决措施。在一些实现中，绝缘子4采用陶瓷材料，试图通过降低陶瓷材质的绝缘子4的表面粗糙度，以减少碳的沉积，但效果极其有限，并且当前陶瓷材料表面粗糙度最高能做到Ra0.4，再提高表面精度的代价太大，因此，在更多的选择是直接更换绝缘子4，由此会产生很大的后期维护。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够有效减轻因绝缘子上沉积碳而产生的绝缘性能逐渐降低问题的绝缘子，本发明还提供了一种具备该绝缘子的石英舟。

在本发明的实施例中，提供一种绝缘子，用于石英舟上电极片间的定位和绝缘，包括：

绝缘子本体，具有第一端和与该第一端相对的第二端；

第一定位部，在第一端和第二端各有一个，以使第一端与第一端侧电极片间，以及第二端与第二端侧电极片间脱开第一距离；

其中，第一定位部外径小于绝缘子本体外径，而由所述第一距离确定出第一狭缝。

可选地，第一狭缝的深度为第一距离的4~15倍。

可选地，第一距离不小于0.8mm，并与电极片所加载电压正相关；

第一距离不大于3mm。

可选地，第一定位部为第一圆垫片或成型在绝缘子本体端部中心的带中心过孔的凸部。

可选地，绝缘子本体具有：