[发明专利]一种延长半导体元件防护隔板使用寿命的方法

说明书

本发明提供了一种延长半导体元件防护隔板使用寿命的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供半导体元件防护隔板；(2)将半导体元件防护隔板置于氨气和硅烷的混合气体氛围下，在温度为400‑500℃下进行微波处理使半导体元件防护隔板表面形成氮化硅膜，所述微波功率为4000‑5000W；(3)将半导体元件防护隔板置于氨气和硅烷的混合气体氛围下，在温度为600‑800℃下进行微波处理使半导体元件防护隔板表面形成氮化硅膜，所述微波功率为5500‑7000W。本发明的方法处理的半导体元件防护隔板在半导体制备的离子刻蚀的工艺中应用时，降低了半导体元件防护隔板的刻蚀程度，减少了长形条隔板的消耗，延长了半导体元件防护隔板的使用寿命，降低了成本。

技术领域

本发明属于半导体制备领域，具体涉及一种延长半导体元件防护隔板使用寿命的方法。

背景技术

在半导体制备的离子刻蚀的工艺中，需要在夹具和半导体元器件中之间，以及在各个元器件之间设置半导体元件防护隔板来起到间隔和保护的作用，该半导体元件防护隔板其实也是一种废旧的元器件，因此随着离子刻蚀的工艺的进行，该半导体元件防护隔板也会被腐蚀或者离子刻蚀变得越来越薄，如果继续使用这种薄的隔板的话，由于其高度已经被刻蚀得低于正常的半导体元器件，从而将无法起到保护作用。对于这样的半导体元件防护隔板通常的处理办法是定期报废。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种延长半导体元件防护隔板使用寿命的方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种延长半导体元件防护隔板使用寿命的方法，所述方法包括以下步骤：

(1)提供半导体元件防护隔板；

(2)将半导体元件防护隔板置于氨气和硅烷的混合气体氛围下，在温度为400-500℃下进行微波处理使半导体元件防护隔板表面形成氮化硅膜，所述微波功率为4000-5000W；

(3)将半导体元件防护隔板置于氨气和硅烷的混合气体氛围下，在温度为600-800℃下进行微波处理使半导体元件防护隔板表面形成氮化硅膜，所述微波功率为5500-7000W。

上述延长半导体元件防护隔板使用寿命的方法采用分步骤在特定的微波功率和温度条件下使半导体元件防护隔板表面形成氮化硅膜，经过上述延长半导体元件防护隔板使用寿命的方法处理的半导体元件防护隔板在半导体制备的离子刻蚀的工艺中应用时，降低了半导体元件防护隔板的刻蚀程度，减少了长形条隔板的消耗，延长了半导体元件防护隔板的使用寿命，降低了成本。

优选地，所述步骤(3)完成后，半导体元件防护隔板表面形成氮化硅膜的厚度为600-800埃。

在氮化硅膜的厚度为600-800埃的条件下，上述延长半导体元件防护隔板使用寿命的方法效果更好，氮化硅膜的厚度超过800埃的时，会导致上述延长半导体元件防护隔板使用寿命的方法处理后的半导体元件防护隔板在半导体制备的离子刻蚀的工艺中应用时造成离子刻蚀残留物的堆积。

优选地，所述步骤(2)中，氨气和硅烷的混合气体中氨气和硅烷的体积比为1:1-4:3。

优选地，所述步骤(3)中，氨气和硅烷的混合气体中氨气和硅烷的体积比为4:1-4.5:1。

优选地，所述步骤(2)中，在温度为450℃下进行微波处理使半导体元件防护隔板表面形成氮化硅膜，所述微波功率为4500W。

优选地，所述步骤(3)中，在温度为700℃下进行微波处理使半导体元件防护隔板表面形成氮化硅膜，所述微波功率为6500W。

优选地，所述步骤(2)和步骤(3)在沉积设备的反应腔中进行，所述反应腔包括第一反应腔和第二反应腔，所述步骤(2)在所述第一反应腔中进行，所述步骤(2)结束后将半导体元件防护隔板传输至第二反应腔中进行步骤(3)的处理。