[发明专利]制造半导体结构的方法

说明书

本发明实施例提供制造半导体结构的方法。所述方法的一者包括：接收包括第一晶体管的第一导电区域及第二晶体管的第二导电区域的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行非晶化；在所述第一晶体管的所述第一导电区域上执行植入；使接触材料层形成于所述第一导电区域及所述第二导电区域上；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行热退火；及对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行激光退火。

技术领域

本发明实施例涉及制造半导体结构的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经历快速成长。设计及IC材料的技术进步已产生连续IC世代，各代具有比前一代更小及更复杂的电路。复杂及减小的IC结构易受缺陷或物理损坏影响，且IC结构中的电性质及电组件的小变化可导致IC结构的低性能。例如，IC结构中的源极及漏极的电阻可显著影响IC结构的性能。然而，归因于半导体工艺的高复杂性及影响半导体结构的不同元件及层的相互依存因数，即使工艺的微小变化也很困难。

发明内容

本发明的实施例涉及一种用于制造半导体结构的方法，其包含：接收包括第一晶体管的第一导电区域及第二晶体管的第二导电区域的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行非晶化；在所述第一晶体管的所述第一导电区域上执行植入；使接触材料层形成于所述第一导电区域及所述第二导电区域上；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行热退火；及对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行激光退火。

本发明的实施例涉及一种用于制造半导体结构的方法，其包含：接收包括第一晶体管的第一导电区域及第二晶体管的第二导电区域的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；使第一物质冲击所述第一导电区域及所述第二导电区域；将第二物质植入到所述第一导电区域中；将第三物质沉积于所述第一导电区域及所述第二导电区域上；及通过激光退火来增大所述第一导电区域及所述第二导电区域的结晶密度。

本发明的实施例涉及一种用于制造半导体结构的方法，其包含：接收包括第一晶体管的第一导电区域及第二晶体管的第二导电区域的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；暴露所述第一导电区域及所述第二导电区域；增大所述第一导电区域及所述第二导电区域的非晶密度；将物质引入到所述第一导电区域的非晶结构中；将接触材料层沉积于所述第一导电区域及所述第二导电区域上；及执行激光退火以减小所述第一导电区域及所述第二导电区域的所述非晶密度。

附图说明

从结合附图来解读的以下详细描述最佳理解本揭露的实施例的方面。应注意，根据行业标准做法，各种结构未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种结构的尺寸。

图1是根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图。

图2到8为根据本揭露的一些实施例的各种制造阶段期间的半导体结构的剖面图。

图9为根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图。

图10为根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图。

图11为根据本揭露的一些实施例的一或多个晶体管的三维图。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供的标的的不同特征的诸多不同实施例或实例。下文将描述元件及配置的特定实例以简化本揭露。当然，此等仅为实例且不意在限制。例如，在以下描述中，“使第一构件形成于第二构件上方或第二构件上”可包括其中形成直接接触的所述第一构件及所述第二构件的实施例，且也可包括其中可形成介于所述第一构件与所述第二构件之间的额外构件使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简化及清楚且其本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。