[发明专利]竖直存储器件

权利要求书

1.一种竖直存储器件，包括：

衬底上的栅电极，所述栅电极在基本垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开；以及

第一结构，所述第一结构沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极，并且包括在基本平行于所述衬底的所述上表面的水平方向上顺序堆叠的沟道和可变电阻结构，

其中所述可变电阻结构中包括量子点。

2.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中所述量子点由金属、金属硅化物或半导体材料形成。

3.根据权利要求2所述的竖直存储器件，其中所述量子点由铂、钨、镍或硅化钨形成。

4.根据权利要求2所述的竖直存储器件，其中所述量子点由硅、锗、硅锗或碳形成。

5.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中所述可变电阻结构中包括的所述量子点相对于彼此沿所述第一方向布置。

6.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中所述可变电阻结构的一些所述量子点相对于彼此沿所述水平方向布置。

7.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中没有量子点暴露于所述可变电阻结构的外部。

8.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中一些所述量子点形成在所述可变电阻结构的表面处，以暴露于所述可变电阻结构的外部。

9.根据权利要求8所述的竖直存储器件，其中所述量子点接触所述沟道的表面。

10.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中所述可变电阻结构由基于钙钛矿的材料、过渡金属氧化物或硫族化物材料形成。

11.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中所述可变电阻结构是在所述沟道上共形地形成的层。

12.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中所述可变电阻结构是单层。

13.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中所述可变电阻结构包括在所述水平方向上顺序堆叠的多层。

14.根据权利要求13所述的竖直存储器件，其中所述可变电阻结构包括从所述沟道起在所述水平方向上顺序堆叠的第一可变电阻图案和第二可变电阻图案，使得所述第一可变电阻图案位于所述沟道和所述第二可变电阻图案之间，以及

其中所述量子点形成在所述第二可变电阻图案中。

15.根据权利要求13所述的竖直存储器件，其中所述可变电阻结构包括从所述沟道起在所述水平方向上顺序堆叠的第一可变电阻图案、第二可变电阻图案和第三可变电阻图案，以及

其中所述量子点形成在所述第二可变电阻图案和所述第三可变电阻图案的每一个中。

16.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中所述第一结构还包括栅绝缘图案，以及

其中所述栅绝缘图案、所述沟道和所述可变电阻结构从每个所述栅电极的侧壁起在所述水平方向上顺序堆叠。

17.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中所述可变电阻结构和所述沟道均具有杯状，以及

其中所述第一结构还包括填充由所述可变电阻结构的内壁形成的内部空间的填充图案。

18.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中每个所述栅电极包括掺杂有杂质的多晶硅。

19.根据权利要求18所述的竖直存储器件，其中每个所述栅电极还包括金属图案。