[发明专利]图像传感器及其制备方法在审
| 申请号: | 201910897227.3 | 申请日: | 2019-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN110518029A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
| 发明(设计)人: | 王亮;李志伟;冉春明;黄仁德 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 刘倜<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 感测 滤光层 子像素 图像传感器 控制电路 电偏置 施加 电致变色材料 制备 透明度 响应 配置 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
多个感测像素,每个感测像素包括一个或多个子像素,在至少部分感测像素中,所述感测像素的子像素包括第一子像素,所述第一子像素包括包含电致变色材料的第一滤光层;以及
控制电路,所述控制电路被配置为对所述第一滤光层施加电偏置;
其中,所述第一滤光层的颜色和/或透明度响应于所施加的电偏置而改变。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,其中:
每个所述子像素包括光感测器件;
所述感测像素的子像素中除所述第一子像素之外的其他子像素包括第二滤光层;
所述光感测器件接收通过所述第一滤光层或所述第二滤光层入射的光。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,其中所述电偏置由所述控制电路根据下列中的至少一个来确定:
所述感测像素的子像素中除所述第一子像素之外的其他子像素中的至少一个子像素接收的光的强度;
所述感测像素接收的光的强度;以及
由环境光检测单元提供的指示环境光的强度的信号。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器还包括:
隔离格栅,所述隔离格栅被配置为分隔相邻设置的所述子像素的各自的第一滤光层或第二滤光层;
其中,所述隔离格栅包括用于所述第一滤光层的电极;
所述控制电路通过所述电极来对所述第一滤光层施加所述电偏置。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,其中:
每个所述感测像素中的至少一个子像素包括包含电致变色材料的第一滤光层。
6.一种图像传感器的制备方法,其特征在于,包括:
提供多个感测像素,每个感测像素包括一个或多个子像素,在至少部分感测像素中,所述感测像素的子像素包括第一子像素,所述第一子像素包括包含电致变色材料的第一滤光层;以及
提供控制电路,所述控制电路被配置为对所述第一滤光层施加电偏置;
其中,所述第一滤光层的颜色和/或透明度响应于所施加的电偏置而改变。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
提供隔离格栅,所述隔离格栅被配置为分隔相邻设置的所述子像素的各自的第一滤光层或第二滤光层;
其中,所述隔离格栅包括用于所述第一滤光层的电极;
所述控制电路通过所述电极来对所述第一滤光层施加所述电偏置。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
提供色偏纠正电路,所述色偏纠正电路被配置为根据第二感测像素感测的第二输出光强信号,纠正第一感测像素感测的第一输出光强信号的色偏;
其中,所述第一感测像素为其中至少一个子像素包括包含电致变色材料的第一滤光层的感测像素,所述第二感测像素为其中所有子像素都不包括包含电致变色材料的第一滤光层的感测像素。
9.一种图像传感器的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成包括在感测像素的子像素中的光感测器件;
在所述衬底上形成控制电路;
在所述衬底上设置隔离格栅,所述隔离格栅包括多个区域,所述多个区域包括对应于第一滤光层的第一开口区域和对应于第二滤光层的第二开口区域,所述隔离格栅包括电极,所述控制电路通过所述电极来对所述第一滤光层施加电偏置;
在所述衬底上形成滤光层,所述滤光层包括第一滤光层和第二滤光层,所述第一滤光层包含电致变色材料并设置在所述第一开口区域中,所述第二滤光层设置在所述第二开口区域中。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
形成通孔,所述通孔被配置为电连接所述电极到所述控制电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





