[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910895176.0 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110957350A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨凯杰;庄礼阳;王培宇;李韦儒;蔡庆威;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李晔;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一p型场效应晶体管，其包括：
一第一栅极结构，形成于一基板上；
一第一源极/漏极结构，与该第一栅极结构相邻；
一第一间隔物，位于该第一栅极结构的侧壁上并接触该第一源极/漏极结构；以及
一第二间隔物，位于该第一间隔物上并接触该第一源极/漏极结构与该第一栅极结构的侧壁上的该第一间隔物的一第一部分；以及
一n型场效应晶体管，其包括：
一第二栅极结构，形成于该基板上；
一第二源极/漏极结构，与该第二栅极结构相邻；
该第一间隔物，位于该第二栅极结构的侧壁上并接触该第二源极/漏极结构；以及
一第三间隔物，位于该第二源极/漏极结构的侧壁上，并接触该第二源极/漏极结构与该第二栅极结构的侧壁上的该第一间隔物的一第二部分，
其中该第一间隔物与该第二间隔物不同，且该第二间隔物与该第三间隔物不同，
其中该第二源极/漏极结构为条状。
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