[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

本公开涉及一种半导体结构的形成方法，其包括接收集成电路工件，其包括凹陷；沉积第一介电前驱物于凹陷中，第一介电前驱物包括非半导体成分；沉积第二介电前驱物于第一介电前驱物上的凹陷中；以及进行退火工艺，使第一介电前驱物的非半导体成分的一部分扩散至第二介电前驱物中。非半导体成分可包含氧，且退火工艺可在真空或钝气环境中进行。

技术领域

本发明实施例关于半导体结构的形成方法，更特别关于形成介电层于高深宽比的凹陷中的方法。

背景技术

半导体集成电路产业已经历快速成长。在集成电路演进中，功能密度(如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能并降低相关成本。然而尺寸缩小会增加设计与制作的挑战性。这些领域的进展可精确及可信地制作复杂设计。

许多形成步骤可一层接一层地形成精确的层状物，以产生电路装置。举例来说，许多工艺包括沉积介电材料层。介电材料通常为绝缘层，而介电材料可用于控制电流。绝缘层的厚度取决于介电材料的物理特性，比如组成、一致性、形状、或类似特性。此外，由于介电材料的操作性，其可用于形成支撑骨架、模具、模件、或另一结构所用的形式。以绝缘层为例，介电层对结构的适用性可取决于介电材料的物理特性，比如组成、一致性、形状、厚度、粘着性、或类似性质。在这些与其他例子中，准确形成这些层状物的能力，将决定最终电路是否符合设计规格及是否可操作。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体结构的形成方法，包括：接收集成电路工件，其包括凹陷；沉积第一介电前驱物于凹陷中，其中第一介电前驱物包括非半导体成分；沉积第二介电前驱物于第一介电前驱物上的凹陷中；以及进行退火工艺，使第一介电前驱物的非半导体成分的一部分扩散至第二介电前驱物中。

本发明一实施例提供的半导体结构的形成方法，包括：接收工件，其具有凹陷；沉积第一可流动的介电层于凹陷中，其包括半导体成分与非半导体成分；沉积第二可流动的介电层于凹陷中的第一可流动的介电层上，其中第二可流动的介电层的非半导体成分浓度低于第一可流动的介电层的非半导体成分浓度；以及进行退火工艺于工件上，使非半导体成分自第一可流动的介电层迁移至第二可流动的介电层。

本发明一实施例提供的半导体结构的形成方法，包括：接收工件，其包括凹陷，且凹陷具有下表面；沉积第一介电前驱物于凹陷的下表面上；沉积第二介电前驱物于凹陷中与第一介电前驱物上；以及退火工件，以自第一介电前驱物扩散非半导体材料至第二介电前驱物中。

附图说明

图1是本发明多种实施例中，形成介电材料于工件上的方法的流程图。

图2至图7是本发明多种实施例中，制作方法中的工件沿着鳍状物宽度方向的剖视图。

图8至图12是本发明多种实施例中，制作方法中的工件沿着鳍状物长度方向的剖视图。

附图标记说明：

100 方法

102、104、106、108、110、112 步骤

200、800 工件

204、802 凹陷

206 鳍状物

208 基板

210 间隔物

212、812 宽度

214、304、404、814、904、1004 深度

302、902 第一介电前驱物

402、1002 第二介电前驱物

406、1006 高度