[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构形成的方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层；

在所述待刻蚀层上形成初始掩膜层；

在所述初始掩膜层上形成暴露出部分所述初始掩膜层的图形化结构；

在所述图形化结构侧壁表面形成阻挡层；

以所述图形化结构和所述阻挡层为掩膜，对所述初始掩膜层进行离子掺杂处理，在所述初始掩膜层内形成掺杂区以及位于所述掺杂区之间的未掺杂区。

去除所述图形化结构与所述阻挡层；

在去除所述图形化结构与所述阻挡层之后，去除所述未掺杂区，在所述待刻蚀层表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有暴露出所述待刻蚀层顶部表面的第一开口。

2.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述待刻蚀层包括单层结构或多层结构。

3.如权利要求2所述半导体结构形成的方法，其特征在于，当所述待刻蚀层为多层结构时，所述待刻蚀层包括衬底以及位于所述衬底上的介质层。

4.如权利要求3所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的器件层；所述介质层位于所述器件层上。

5.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述图形化结构形成的方法包括：在所述初始掩膜层表面形成图形化层；在所述图形化层表面形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述图形化层，直至暴露出所述初始掩膜层顶部表面为止，形成所述图形化结构；在形成所述图形化结构之后，去除所述光刻胶层。

6.如权利要求5所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述初始掩膜层与所述图形化层的材料不同。

7.如权利要求6所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述初始掩膜层的材料包括非晶硅、多晶硅或掺杂硅。

8.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述图形化结构的高度为10nm～30nm，所述高度的方向为垂直于所述初始掩膜层顶部表面的方向。

9.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述阻挡层的形成方法包括：在所述图形化结构表面以及暴露出的所述初始掩膜层的顶部表面形成初始阻挡层；去除所述图形化结构顶部表面以及所述初始掩膜层顶部表面的初始阻挡层，形成所述阻挡层。

10.如权利要求9所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

11.如权利要求9所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述初始阻挡层的形成工艺采用原子层沉积工艺。

12.如权利要求9所述半导体结构形成的方法，其特征在于，去除所述图形化结构顶部表面以及所述初始掩膜层顶部表面的初始阻挡层的工艺采用第一湿法刻蚀工艺；所述第一湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液包括氢氟酸溶液与双氧水溶液。

13.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为1nm～10nm，所述厚度的方向为垂直于所述图形化结构侧壁的方向。

14.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述离子掺杂处理采用的掺杂离子包括硼离子、磷离子或氮离子。

15.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述离子掺杂处理的参数包括：掺杂能量为10KeV～30KeV，掺杂剂量为1E7atoms/cm²～3E7atoms/cm²，掺杂时间为30s～120s。