[发明专利]封装结构、成品线路板、电子器件、电子设备及焊接方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括电子器件和基板，所述电子器件和所述基板之间通过焊点进行电连接，所述焊点包括至少两层锡膏，不同层所述锡膏的材质不同；

所述至少两层锡膏包括第一层锡膏和第二层锡膏；

所述第一层锡膏的材质为高熔点钎料，所述高熔点钎料为熔点可变的瞬时液相连接钎料；

所述第一层锡膏第一次回流焊接的温度在240～260℃之间，第二次重熔的熔点大于或等于260℃且小于或等于450℃。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述焊点由两层所述锡膏形成。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一层锡膏的熔点高于所述第二层锡膏的熔点。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一层锡膏位于所述焊点的靠近所述电子器件的一侧，所述第二层锡膏位于所述焊点的靠近所述基板的一侧；或者，所述第一层锡膏位于所述焊点的靠近所述基板的一侧，所述第二层锡膏位于所述焊点的靠近所述电子器件的一侧。

5.根据权利要求3或4所述的封装结构，其特征在于，所述第一层锡膏位于所述电子器件的非功能焊盘上，所述电子器件的功能焊盘具有所述第二层锡膏，所述基板上也具有所述第二层锡膏；或者，所述第一层锡膏位于所述基板的非功能焊盘上，所述基板的功能焊盘具有所述第二层锡膏，所述电子器件上也具有所述第二层锡膏。

6.根据权利要求3或4所述的封装结构，其特征在于，所述第一层锡膏的材质为锡铜钎料、锡镍瞬时液相扩散焊钎料，或复合钎料，所述复合钎料是含有高熔点金属与低熔点金属的颗粒混合物，所述高熔点金属的熔点大于260℃，所述低熔点金属的熔点小于或等于240℃。

7.根据权利要求3或4所述的封装结构，其特征在于，所述第二层锡膏的材质为锡基钎料。

8.根据权利要求3或4所述的封装结构，其特征在于，所述第一层锡膏内具有熔点大于260℃的金属。

9.一种成品线路板，其特征在于，包括成品线路板本体和位于所述成品线路板本体上的焊盘，所述焊盘上具有焊点，所述焊点包括至少两层锡膏，不同层所述锡膏的材质不同；

所述至少两层锡膏包括第一层锡膏和第二层锡膏；

所述第一层锡膏的材质为高熔点钎料，所述高熔点钎料为熔点可变的瞬时液相连接钎料；

所述第一层锡膏第一次回流焊接的温度在240～260℃之间，第二次重熔的熔点大于或等于260℃且小于或等于450℃。

10.一种电子器件，其特征在于，包括电子器件本体和位于所述电子器件上的焊盘，所述焊盘上具有焊点，所述焊点包括至少两层锡膏，不同层所述锡膏的材质不同；

所述至少两层锡膏包括第一层锡膏和第二层锡膏；

所述第一层锡膏的材质为高熔点钎料，所述高熔点钎料为熔点可变的瞬时液相连接钎料；

所述第一层锡膏第一次回流焊接的温度在240～260℃之间，第二次重熔的熔点大于或等于260℃且小于或等于450℃。

11.一种电子设备，其特征在于，包括电子设备本体和权利要求1至8任一项所述的封装结构，所述封装结构位于所述电子设备本体内。

12.一种封装结构的焊接方法，其特征在于，包括：

在第一待焊接元件和第二待焊接元件的至少一者上设置锡膏；

通过所述锡膏在所述第一待焊接元件和所述第二待焊接元件之间形成焊点，所述焊点由至少两层锡膏形成，不同层的所述锡膏的材质不同；

所述至少两层锡膏包括第一层锡膏和第二层锡膏；

所述第一层锡膏的材质为高熔点钎料，所述高熔点钎料为熔点可变的瞬时液相连接钎料；

所述第一层锡膏第一次回流焊接的温度在240～260℃之间，第二次重熔的熔点大于或等于260℃且小于或等于450℃。