[发明专利]一种在衬底上制作悬浮红外热堆的方法

权利要求书

1.一种在衬底上制作悬浮红外热堆的方法，其特征在于，所述方法至少包括：

1)提供衬底，在所述衬底表面形成侧向腐蚀引导层；

2)在所述衬底和所述侧向腐蚀引导层表面淀积牺牲层；

3)在所述牺牲层上制作热偶层以及与所述热偶层一端相连的吸收膜层；

4)淀积覆盖所述牺牲层、所述热偶层以及所述吸收膜层的热偶保护层，然后刻蚀所述热偶保护层和所述牺牲层，形成暴露所述侧向腐蚀引导层的腐蚀孔，并通过所述腐蚀孔腐蚀去除所述侧向腐蚀引导层以及所述侧向腐蚀引导层下方的所述衬底，形成隔热空腔；

5)去除所述热偶保护层，淀积覆盖所述牺牲层、所述热偶层以及所述吸收膜层的引线绝缘层，刻蚀所述引线绝缘层形成暴露所述热偶层的接触孔，再在所述接触孔中及所述引线绝缘层表面形成金属引线；

6)去除所述隔热空腔上方的所述牺牲层及部分所述引线绝缘层，获得所述悬浮红外热堆。

2.根据权利要求1所述的在衬底上制作悬浮红外热堆的方法，其特征在于：所述衬底包括(100)单晶硅衬底。

3.根据权利要求1所述的在衬底上制作悬浮红外热堆的方法，其特征在于：所述侧向腐蚀引导层包括多晶硅及非晶硅中的一种。

4.根据权利要求1所述的在衬底上制作悬浮红外热堆的方法，其特征在于：所述牺牲层包括是氧化硅及氮化硅中的一种。

5.根据权利要求1所述的在衬底上制作悬浮红外热堆的方法，其特征在于：所述热偶层包括N型多晶硅条、P型多晶硅条及N型多晶硅条-热偶绝缘层-P型多晶硅条叠加结构中的一种。

6.根据权利要求1所述的在衬底上制作悬浮红外热堆的方法，其特征在于：所述吸收膜层包括氮化硅。

7.根据权利要求1所述的在衬底上制作悬浮红外热堆的方法，其特征在于：步骤4)中，所述隔热空腔通过XF₂气体进行各向同性腐蚀或者碱性溶液各向异性腐蚀，去除所述侧向腐蚀引导层以及所述侧向腐蚀引导层下方的所述衬底后获得。

8.根据权利要求1所述的衬底上制作悬浮红外热堆的方法，其特征在于：所述热偶保护层包括氧化硅，所述引线绝缘层包括氧化硅及氮化硅中的一种，所述金属引线包括Al、Au、及Pt中的一种或多种的组合。

9.根据权利要求1所述的在衬底上制作悬浮红外热堆的方法，其特征在于：步骤6)中，通过气相HF腐蚀或者HF溶液腐蚀的方式去除所述隔热空腔上方的所述牺牲层及部分所述引线绝缘层。