[发明专利]用于存储器设备的多态编程的映射

说明书

本发明题为“用于存储器设备的多态编程的映射”。本公开描述了存储设备编程方法、系统和设备。方法可基于一组数据生成数据的映射，该数据的映射包括第一映射数据和第二映射数据。该方法可包括执行第一编程操作，从而以第一模式将第一映射数据写入到存储器设备。该方法可包括将第二映射数据存储到高速缓存。该方法可包括基于对包括来自高速缓存的第二映射数据和来自存储器设备的第一映射数据的数据进行的映射的逆映射来生成第二组数据，从而以第二模式写入到存储器设备，其中第二组数据包括一组数据，并且第一模式和第二模式对应于写入到存储器设备的不同模式。

背景技术

本主题申请整体涉及数据存储系统、设备和方法。更具体地，本主题申请涉及例如但不限于用于将数据写入到存储器设备的多态编程。

背景技术部分中提供的描述不应仅因为它在背景技术部分中被提及或与背景技术部分相关联而被认为是现有技术。背景技术部分可包括描述主题技术的一个或多个方面的信息，并且该部分中的描述不限制本发明。

附图说明

将参考附图进行详细描述：

图1是示出根据本主题技术的多个方面的闪存存储系统的部件的框图；

图2概念性地示出了根据本主题技术的一个或多个具体实施的由闪存存储系统的各个部件提供的多态编程的示例；

图3概念性地示出了根据本主题技术的一个或多个具体实施的映射的示例；

图4概念性地示出了根据本主题技术的一个或多个具体实施的映射以及后续执行逆映射的示例；

图5概念性地示出了初始表中的示例性数据和第二个表中的示例性映射数据；

图6示出了根据一个或多个具体实施的用于执行多态编程的过程的流程图。

具体实施方式

下面阐述的详细描述旨在作为本主题技术的各种配置的描述，而不旨在表示可实践本主题技术的唯一配置。附图结合到本文中并构成详细描述的一部分。详细描述包括具体细节，其目的是提供对本主题技术的透彻理解。然而，对本领域的技术人员将显而易见的是，可在没有这些具体细节的情况下实践本主题技术。在一些情况下，熟知的结构和部件以框图的形式示出，以便避免使本主题技术的概念晦涩难懂。为了便于理解，相同的元件标有相同的元件符号。

一些闪存存储器和其他固态存储设备可实现多层单元(MLC)存储器、三层单元(TLC)存储器、四层单元(QLC)存储器等，以将数据的多个位存储在同一存储器单元中。一般来讲，MLC、TLC和/或QLC存储器单元可被编程为多个状态，该多个状态各自由不同的电压阈值表征。例如，两位MLC存储器单元可被编程为四个不同状态中的一个，三位TLC存储器单元可被编程为八个不同状态中的一个，或者四位QLC存储器单元可被编程为十六个不同状态中的一个，其中每个状态对应于唯一电压范围。MLC、TLC和QLC存储器可具有不同的写入时间、读取时间、编程要求、可靠性、错误率等。

在一个或多个示例中，用于每单元多位NAND闪存存储器的模糊和精细编程技术可以是指两阶段或多态编程技术(例如，“模糊/精细编程”)，其中在第一字线编程操作(例如，模糊编程操作)中NAND单元电压被快速地接近期望的电压水平(例如，由存储在每个单元中的位模式确定)，然后在程序步长小得多的第二编程操作(例如，精细编程操作)中被编程到其最终的电压水平。

四层单元(QLC)技术要求非常精确的编程过程以将十六个分布置于小电压范围(～6.2v)中，其中QLC状态宽度为～0.4v。在示例中，使用两轮编程，即上述模糊编程和精细编程。该方法的缺点是模糊编程是无法读取的，因此需要对主机数据的四个页面进行高速缓存，直到完成精细编程。数据高速缓存减少了主机可用的驱动器容量和系统管理算法。因此，找到需要较少高速缓存的模糊精细编程的替代方案可降低每千兆字节的驱动器成本，或者允许更多超量配置以增加驱动器耐用性。在本文所述的一个或多个具体实施中，本主题技术有利地降低了控制器中的数据缓冲要求，这改善了给定计算设备的功能。