[发明专利]一种提高Co基非晶纤维巨磁阻抗性能的方法在审
| 申请号: | 201910884293.7 | 申请日: | 2019-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN110568380A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
| 发明(设计)人: | 姜思达;孙剑飞;曹福洋 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号: | G01R33/00 | 分类号: | G01R33/00;G01R33/09 |
| 代理公司: | 23211 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 | 代理人: | 邓宇 |
| 地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 非晶 纤维 巨磁阻 抗性能 偏置电流 应用技术领域 磁场周期 功能材料 外部激励 传感器 可用 制备 阻抗 施加 | ||
1.一种提高Co基非晶纤维巨磁阻抗性能的方法,其特征在于,是指对Co基非晶纤维施加偏置电流,所述偏置电流大小为2.5mA-180mA,外部激励磁场周期为2-5min,大小为0.5-2.5Oe;所述Co基非晶纤维为Co68.15Fe4.35Si12.25B13.25Zr2。
2.根据权利1所述的方法,其特征在于,所述Co基非晶纤维直径为50±1μm。
3.根据权利1所述的方法,其特征在于,所述Co基非晶纤维通过熔体抽拉法制备获得。
4.根据权利3所述的方法,其特征在于,所述熔体抽拉法是在高真空精密熔体抽拉设备中进行,真空度为10-4Pa,电源加热功率18-20kW,Cu质辊轮线速度为20-25m/s、母合金进给速度30μm/s,辊轮夹角为60°。
5.根据权利1所述的方法,其特征在于,所述偏置电流为30mA,外部激励磁场周期为2min,大小为2.5Oe。
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