[发明专利]沉积方法及互连结构

权利要求书

1.一种沉积方法，包括：

通过原子层沉积在一腔室中的一基板上沉积一含铝层，其中该沉积的操作还包括：

在具有一第一峰值脉冲流率及一第一脉冲宽度的一第一脉冲中使该基板与一含铝前驱物接触；

使该基板与一含氮前驱物接触；

在具有一第二峰值脉冲流率及一第二脉冲宽度的一第二脉冲中使该基板与该含铝前驱物接触；以及

使该基板与该含氮前驱物接触；

其中该第一峰值脉冲流率大于该第二峰值脉冲流率；

其中该第一脉冲宽度小于该第二脉冲宽度，

其中在该第一脉冲中的该含铝前驱物的一第一总量相同于在该第二脉冲中的该含铝前驱物的一第二总量。

2.如权利要求1所述的沉积方法，其中该第一峰值脉冲流率及该第一脉冲宽度的乘积相同于该第二峰值脉冲流率及该第二脉冲宽度的乘积。

3.如权利要求1所述的沉积方法，其中该第一脉冲中的该含铝前驱物的流率随时间的一第一积分相同于该第二脉冲中的该含铝前驱物的流率随时间的一第二积分。

4.如权利要求1所述的沉积方法，其中该含铝前驱物包括三甲基铝。

5.如权利要求1所述的沉积方法，其中该含氮前驱物包括氨气。

6.如权利要求1所述的沉积方法，还包括：

吹扫该含铝前驱物的该腔室；以及

吹扫该含氮前驱物的该腔室。

7.如权利要求1所述的沉积方法，

其中该第一脉冲宽度为已达到该第一峰值脉冲流率之后的一脉冲持续期间，

其中该第二脉冲宽度为已达到该第二峰值脉冲流率之后的一脉冲持续期间。

8.如权利要求1所述的沉积方法，还包括：

在该含铝层上沉积一介电层；

使用该含铝层作为一蚀刻停止层，形成穿过该介电层及该含铝层的一开口；以及

使用一导电材料填充该开口。

9.一种沉积方法，通过在多个循环中的原子层沉积在一基板上沉积一薄层，该沉积方法包括：

提供一系统，包括：

一反应器；

一流率感应器，定位于通向该反应器的一入口端；

一阀，配置以控制一前驱物的一气源及该入口端之间的流体连通；以及

一控制系统，与该流率感应器及该阀电性连通；以及

根据由该流率感应器所测量的该前驱物的一流率而控制该阀，以维持在所述多个循环的每一者中流到该反应器中的该前驱物的一恒定量。

10.如权利要求9所述的沉积方法，其中控制该阀的操作包括维持该前驱物的流率及该前驱物的该气源与该入口端流体连通的一持续期间的一恒定积分。

11.如权利要求9所述的沉积方法，其中控制该阀的操作包括维持由该流率感应器所测量的一峰值脉冲流率与该前驱物的该气源与该入口端流体连通的一持续期间的一恒定乘积。

12.如权利要求9所述的沉积方法，其中控制该阀的操作包括维持由该流率感应器所测量的一峰值脉冲流率与在达到该峰值脉冲流率之后的该前驱物的该气源与该入口端流体连通的一持续期间的一恒定乘积。

13.如权利要求9所述的沉积方法，还包括：

通过一加热单元将该反应器的一温度增加到300℃至400℃之间，

其中该系统还包括该加热单元。

14.如权利要求9所述的沉积方法，其中该薄层包括氮化铝，且该前驱物包括三甲基铝。

15.如权利要求9所述的沉积方法，其中该系统还包括另一阀，配置以控制另一前驱物的另一气源与该入口端之间的流体连通，且该另一前驱物为氨气。

16.如权利要求15所述的沉积方法，还包括：

根据该另一前驱物的该另一气源与该入口端流体连通的一持续期间而控制该另一阀。