[发明专利]光掩模制造方法、检查方法及装置、描绘装置有效
申请号: | 201910879805.0 | 申请日: | 2016-02-06 |
公开(公告)号: | CN110609436B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 剑持大介 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F1/84 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 检查 装置 描绘 | ||
本发明提供光掩模制造方法、检查方法及装置,描绘装置、显示装置制造方法,能够提高在被转印体上形成的图案的坐标精度。本发明的光掩模的制造方法具有:准备图案设计数据A的工序;准备表示基板的厚度分布的厚度分布数据T的工序;准备表示在曝光装置上保持光掩模时的主表面的形状的转印面形状数据C的工序;采用厚度分布数据T和转印面形状数据C来获得描绘差值数据F的工序;估算与描绘差值数据F对应的主表面上的多个点处的坐标偏差量来求出描绘用坐标偏差量数据G的工序;采用描绘用坐标偏差量数据G和图案设计数据A在光掩模坯体上进行描绘的描绘工序。
本申请是申请号为201610084055.4的发明专利申请(申请日:2016年02月06日,发明名称:光掩模制造方法、检查方法及装置,描绘装置、显示装置制造方法)的分案申请。
技术领域
本发明涉及有利于应用在半导体装置或显示装置(LCD、有机EL等)的制造中的光掩模,涉及其制造方法或装置、检查方法或装置。
背景技术
目前,期望提高在光掩模中形成的转印用图案的精度,进而提高已形成的转印用图案的检查精度。
在专利文献1(日本特开2010-134433号公报)中记载有当光掩模图案被转印在被转印体上时能够提高其坐标精度的描绘方法、描绘装置。尤其是,在专利文献1中记载了如下方法:在光掩模制造工序中,为了消除由于描绘转印用图案时的膜面(图案形成面)的形状与曝光时不同而使得被转印体上没有形成按照设计的图案的问题,取得校正后的描绘数据。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-134433号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在显示装置的制造中,大多利用具有基于想要得到的器件(device)的设计做出的转印用图案的光掩模。作为器件,在以智能手机或平板终端为代表的液晶显示装置或有机EL显示装置中,需要明亮省电、动作速度快且分辨率高的精美图像。因此,对于发明人来说,对于上述用途中使用的光掩模显然存在新的技术课题。
详细地说,为了鲜明地表现细微的图像,需要提高像素密度,当前,期望实现超过像素密度400ppi(pixel per inch:每英寸像素)的器件。因此,光掩模的转印用图案的设计的趋势是细微化、高密度化。但是,包含显示用器件的多个电子器件由形成了细微图案的多个层(Layer)的叠层立体地形成。因此,这些多个层中的坐标精度的提高以及坐标彼此的匹配成为关键。也就是说,只要各个层的图案坐标精度没有全部满足预定水平,就会引起在完成的器件中未产生适当动作等不良状况。因此,存在对各个层要求的坐标偏差的容许范围越来越小的趋势。
但是,在专利文献1中记载了如下内容:估算光掩模坯体的描绘工序中的膜面形状与曝光时的膜面形状之间的形状变化量,并根据估算出的形状变化量来校正用于描绘的设计描绘数据。在该专利文献1中记载了如下方法:在描绘转印用图案的阶段,对于基板膜面(在透明基板中称作成膜侧的面,在光掩模坯体中称作形成了膜的面,在光掩模中称作形成了图案的面。)之中从理想平面变形的要因中的、曝光时的残留的部分以及曝光时消失的部分进行区分,获得校正后的描绘数据。
当在附有光致抗蚀剂的光掩模坯体上利用描绘装置描绘图案时,光掩模坯体在描绘装置的工作台上以膜面向上的状态被载置。此时,作为光掩模坯体的膜面的表面形状从理想的平面变形的要因,认为存在下述4个变形要因:
(1)工作台不充分的平整性;
(2)由于工作台上夹入异物而导致的基板挠曲;
(3)光掩模坯体膜面的凹凸;以及
(4)由于光掩模坯体背面的凹凸引起的膜面的变形。(即,由(3)以及基板厚度的偏差引起的膜面的变形)
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备