[发明专利]一种高隔离度高增益双单元微带天线及其制作方法在审
| 申请号: | 201910878080.3 | 申请日: | 2019-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN110534901A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
| 发明(设计)人: | 靳钊;蔺琛智;高尧;乔丽萍;郭晨;贺之莉 | 申请(专利权)人: | 长安大学 |
| 主分类号: | H01Q1/52 | 分类号: | H01Q1/52;H01Q1/50;H01Q1/38;H01Q15/00;H01Q21/00;H01Q21/29;H01P5/16 |
| 代理公司: | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 贺小停<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址: | 710064*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 介质基板 单元矩形 贴片天线 威尔金森功分器 同轴接头 微带天线 介质基板上表面 金属接地板 开口谐振环 减小 侧向辐射 辐射增益 高隔离度 一端连接 耦合干扰 高增益 空气腔 下表面 隔离 制作 | ||
1.一种高隔离度高增益双单元微带天线,其特征在于,包括第一介质基板(2)、第二介质基板(5)、威尔金森功分器(7)以及SMA同轴接头(9);
第一介质基板(2)与第二介质基板(5)连接且第一介质基板(2)位于第二介质基板(5)上方,第一介质基板(2)与第二介质基板(5)之间设置空气腔(4);第一介质基板(2)上表面设置开口谐振环阵列,第二介质基板(5)上表面设置二单元矩形贴片天线(6),下表面设置金属接地板(10),威尔金森功分器(7)一端连接二单元矩形贴片天线(6),另一端与SMA同轴接头(9)连接;SMA同轴接头(9)与金属接地板(10)连接。
2.根据权利要求1所述的高隔离度高增益双单元微带天线,其特征在于,所述第一介质基板(2)与第二介质基板(5)通过若干塑料螺丝(3)连接。
3.根据权利要求1所述的高隔离度高增益双单元微带天线,其特征在于,所述空气腔(4)的高度为0.5~0.6倍的谐振频率的空气波长。
4.根据权利要求1所述的高隔离度高增益双单元微带天线,其特征在于,所述开口谐振环阵列包括若干周期排列的开口谐振环(1),开口谐振环(1)为正方形开口谐振环。
5.根据权利要求1所述的高隔离度高增益双单元微带天线,其特征在于,所述第一介质基板(2)和第二介质基板(5)均为环氧树脂基板,开口谐振环阵列材质为铜,所述金属接地板(10)材质为铜。
6.根据权利要求1所述的高隔离度高增益双单元微带天线,其特征在于,所述第一介质基板(2)位于第二介质基板(5)正上方。
7.根据权利要求1所述的高隔离度高增益双单元微带天线,其特征在于,所述威尔金森功分器(7)的两个信号馈入线分别与二单元矩形贴片天线(6)的两个矩形贴片天线中心位置相连。
8.根据权利要求1所述的高隔离度高增益双单元微带天线,其特征在于,还包括电阻(8),电阻(8)两端分别与威尔金森功分器(7)的两个分支连接。
9.一种权利要求1所述高隔离度高增益双单元微带天线的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在第一介质基板(2)上表面上刻蚀若干个开口谐振环(1),若干个开口谐振环(1)周期排列;
S2:在第二介质基板(5)上表面上刻蚀威尔金森功分器(7)和二单元矩形贴片天线(6),下表面上整体覆铜形成金属接地板(6);二单元矩形贴片天线(6)的两个矩形贴片天线的中心位置分别与威尔金森功分器(7)的两个信号馈入线相连;
S3:以威尔金森功分器(7)的信号馈入段为馈点,在馈点处安装SMA同轴接头(9),SMA同轴接头(9)另一端与金属接地板(10)连接;
S4:将第一介质基板(2)通过塑料螺丝固定在第二介质基板(5)上方,且在第一介质基板(2)和第二介质基板(5)之间预留空气腔(4)。
10.根据权利要求9所述的高隔离度高增益双单元微带天线制作方法,其特征在于,所述S2还包括:
在威尔金森功分器(7)的两个分支之间焊接一个电阻(8),电阻(8)两端分别与威尔金森功分器(7)的两个分支连接。
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