[发明专利]在碲化锌表面制备亚波长微结构阵列的方法

权利要求书

1.一种在碲化锌表面制备亚波长微结构阵列的方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一、将碲化锌晶锭沿<110>方向定向切割成尺寸为10×10×1mm的晶片备用；

步骤二、将切割好的晶体先利用MgO水浊液进行粗抛，直至无肉眼可见划痕；随后利用体积比为H₂O₂:硅溶胶＝1:1的细抛液对晶体进行细抛，直至达到在光学显微镜下观察不到划痕，表面达到镜面效果；最后，将抛光好的晶体放入去离子水中超声清洗30分钟后，用氮气吹干后放入真空箱内真空保存备用；

步骤三、采用旋涂的方式在ZnTe晶体表面制备出PS微球单层密排堆积薄膜，随后将晶片放置在加热台上在50～70℃条件下将前驱体溶液中剩余水分完全蒸干，保证聚苯乙烯微球牢靠地粘附在晶体上；最后将晶体放入真空箱中保存备用；

步骤四、将晶片放入刻蚀腔室内，抽真空至3×10^-3Pa，往腔室内通入流量为20sccm的O₂，调节气压值、射频功率、自偏压分别至1Pa、140W、420V，将反射功率调节至5W后开始计时刻蚀15～30s；

步骤五、对刻蚀腔室进行洗气处理，去除步骤四刻蚀残余的O₂，将腔室抽真空至3×10^-3Pa后，通入流量比为2:40～12:40sccm的CH₄、H₂，调节射频功率、自偏压至140W、42V，调节刻蚀气压至1～10Pa，将反射功率调节至5W后开始计时刻蚀6～25mins；

步骤六、对刻蚀腔室进行洗气处理，去除步骤五刻蚀残余的CH₄、H₂，将腔室抽真空至3×10^-3Pa后，通入流量为10～40sccm的O₂，分别调节气压、射频功率、自偏压至1～10Pa、50～200W、200～400V，将反射功率调节至5W后开始计时刻蚀50～200s，以除去表面残余的PS微球，使得亚波长微结构充分裸露；

步骤七、为了进一步除去刻蚀过后表面残余的PS微球以及吸附杂质，采用二氯甲烷对刻蚀过后的ZnTe进行超声清洗20～60mins，随后用氮气将ZnTe晶体进行充分干燥后放入真空干燥箱内保存。