[发明专利]发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法

说明书

本申请涉及一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法。其中，发光二极管芯片包括依次叠层设置的反射层、牺牲层、衬底、N半导体层、发光层和P半导体层。所述牺牲层包括叠层设置的第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层设置于所述反射层和所述第二牺牲层之间，所述第二牺牲层设置于第一牺牲层和所述衬底之间，且所述第一牺牲层的折射率大于所述第二牺牲层的折射率。本申请提供的所述发光二极管芯片的亮度较高。

技术领域

本申请涉及发光二极管领域，特别是涉及一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种能够将电能转化为光能的半导体组件，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛的应用于背光源、照明、面板等领域。在大部分的应用中，LED芯片都只要求具备180°发光面即可。为了提高发光二极管的发光效率，通常会在LED芯片的背面制备反射层。反射层一般使用金属、布拉格反射镜，或者两者的叠加来达到高反射率的目的。

传统技术中，LED芯片的制备方法是在衬底的表面依次形成N半导体层、发光层和P半导体层，之后，在衬底远离N半导体层的表面形成反射层。

然而，这样的LED芯片存在亮度低的问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法。

一种发光二极管芯片，包括依次叠层设置的反射层、衬底、N半导体层、发光层和P半导体层；

所述发光二极管芯片还包括牺牲层，所述牺牲层包括叠层设置的第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层设置于所述反射层和所述第二牺牲层之间，所述第二牺牲层设置于所述第一牺牲层和所述衬底之间，且所述第一牺牲层的折射率大于所述第二牺牲层的折射率。

在其中一个实施例中，所述第一牺牲层的厚度为50nm-100nm，所述第二牺牲层的厚度为50nm-500nm。

在其中一个实施例中，所述第一牺牲层的厚度为75nm，所述第二牺牲层的厚度为100nm。

在其中一个实施例中，所述反射层包括布拉格反射镜。

在其中一个实施例中，所述反射层包括多层交替叠层设置的第一反射层和第二反射层，所述第一反射层的折射率大于所述第二反射层的折射率，所述第一牺牲层的材料与所述第一反射层的材料相同，所述第二牺牲层的材料与所述第二反射层的材料相同。

在其中一个实施例中，所述第一反射层的材料为TiO₂，所述第二反射层的材料为SiO₂，所述第一牺牲层的材料为TiO₂，所述第二牺牲层的材料为SiO₂。

一种发光二极管，包括如上所述的发光二极管芯片。

本申请实施例提供的所述发光二极管芯片和所述发光二极管包括牺牲层，所述牺牲层由折射率相差较大的两个膜层堆叠构成。在所述反射层和所述衬底之间增加所述牺牲层，能够降低所述衬底表面的粗糙度，从而能够提高所述反射层的反射能力，提高所述发光二极管芯片的亮度，并且所述牺牲层可以释放所述反射层的应力，吸湿性低，能够避免出现膜层脱落的问题。同时，本实施例中，所述牺牲层和所述反射层使用同样的材料，使用同样的制备方法，可以同时制备，这样可以减少制备时间，并且便于维护。

一种发光二极管芯片制备方法，包括：

提供一基板，所述基板包括依次叠层设置的衬底、N半导体层、发光层和P半导体层；

在所述衬底远离所述N半导体层的表面沉积形成第二牺牲层；