[发明专利]电感耦合等离子体处理装置及其点火控制方法在审
| 申请号： | 201910870691.3 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112509899A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 赵馗;关晓龙;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张静 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电感 耦合 等离子体 处理 装置 及其 点火 控制 方法 | ||
1.一种电感耦合等离子体处理装置的点火控制方法，其特征在于，所述装置具有真空处理腔、射频功率源以及偏置功率源，所述射频功率源通过电感耦合线圈将射频信号耦合到所述真空处理腔内，所述偏置功率源通过射频匹配网络将偏压信号施加到所述真空处理腔内部的基座上，所述基座用于支撑待处理基片；
所述方法包括：
获取控制指令；
所述偏置功率源执行所述控制指令，产生所述偏压信号；
其中，所述偏压信号为脉冲电压，用于与所述射频信号共同进行等离子体点火。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述偏置功率源执行所述控制指令，产生所述偏压信号，包括：
执行所述控制指令，开启所述偏置功率源，以使得其产生所述偏压信号；
开启所述偏置功率源设定时间后，开启所述射频功率源，使得其产生所述射频信号。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述设定时间小于200ms。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置所述脉冲电压的占空比低于10％。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置所述脉冲电压的偏置功率小于50瓦。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体的形成过程中，包括：
设定所述射频功率源开启至所述真空处理腔内产生等离子体的时间为T，所述脉冲电压的脉冲宽度为0.1T-10T。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体的形成过程中，包括：
所述射频功率源开启至所述真空处理腔内产生等离子体的时间为T，所述偏置功率源的开启时间不晚于所述射频功率源的时间，且开启持续时间不小于T。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的方法，其特征在于，所述电感耦合线圈为多个单圈线圈组合或者多个半圈线圈组合的结构。
9.一种电感耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括：
真空处理腔、射频功率源以及偏置功率源；
所述射频功率源通过电感耦合线圈将射频信号耦合到所述真空处理腔内，所述偏置功率源通过射频匹配网络将偏压信号施加到所述真空处理腔内部的基座上，所述基座用于支撑待处理基片；
其中，所述偏置功率源用于执行控制指令，产生所述偏压信号；所述偏压信号为脉冲电压，用于与所述射频信号共同进行等离子体点火。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述电感耦合线圈为多个单圈线圈组合或者多个半圈线圈组合的结构。
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