[发明专利]薄膜桥压式氢气氛传感器在审
| 申请号： | 201910864385.9 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110426422A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 庄志;张毅;李树勇 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院总体工程研究所 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 杨春 |
| 地址： | 621908*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 敏感电阻 绝缘层 温度补偿元件 薄膜桥 基底层 压式 氢气传感器 阻挡层 桥路 温度补偿功能 交叉干扰 敏感元件 上下两侧 依次设置 氢气 微间隙 传感器 减小 自带 倍增 测量 隔离 | ||
1.薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，为多层薄膜式结构，包括依次设置的基底层、绝缘层、阻挡层与敏感电阻层；所述敏感电阻层设置有敏感电阻桥路；所述敏感电阻桥路包括氢敏感元件与温度补偿元件；所述阻挡层覆盖于温度补偿元件上下两侧层面，用于隔绝氢气与所述温度补偿元件；所述基底层用于作为传感器件的载体；所述绝缘层用于基底层与敏感层隔离，并使传感器与大地绝缘。
2.根据权利要求1所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述敏感电阻层还设置有电极层，用于将所述敏感电阻桥路节点引接至外部监控设备。
3.根据权利要求1所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述敏感电阻桥包括氢敏感电阻R1、温度补偿电阻丝R2、氢敏感电阻R3、温度补偿电阻丝R4、第一输出节点、第二输出节点、第三输出节点与第四输出节点；所述氢敏感电阻R1第一端接所述温度补偿电阻丝R4第一端、第一输出节点；所述氢敏感电阻R1第二端接所述温度补偿电阻丝R2第一端、第二输出节点；所述温度补偿电阻丝R2第二端接所述氢敏感电阻R3第二端、第三输出节点；所述温度补偿电阻丝R4第二端接所述氢敏感电阻R3第一端、第四输出节点。
4.根据权利要求2所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述氢敏感电阻R1与温度补偿电阻丝R4设置于敏感电阻层中心线第一侧、所述温度补偿电阻丝R2与氢敏感电阻R3设置于敏感电阻层中心线第二侧，或所述氢敏感电阻R1与与氢敏感电阻R3设置于敏感电阻层中心线第一侧、所述温度补偿电阻丝R2与温度补偿电阻丝R4设置于敏感电阻层中心线第二侧。
5.根据权利要求1所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述基底层为Si基片。
6.根据权利要求1所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述基底层厚度为100-400微米，可用于微间隙测试。
7.根据权利要求1所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述绝缘层材质为SiO2，用于将基地和敏感层及电极隔离并使之与大地绝缘。
8.根据权利要求1所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述氢敏感元件与温度补偿元件为钯基贵金属材料。
9.根据权利要求3所述薄膜桥压式氢气氛传感器，其特征在于，所述氢敏感电阻R1、温度补偿电阻丝R2、氢敏感电阻R3及温度补偿电阻丝R4采用同种材料，且阻值相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院总体工程研究所，未经中国工程物理研究院总体工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910864385.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
