[发明专利]抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器有效

专利信息
申请号: 201910863633.8 申请日: 2019-09-12
公开(公告)号: CN110729994B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 李冠舜;吴思贤 申请(专利权)人: 晶焱科技股份有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/003
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 侯奇慧
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 高位 准共模 瞬时 干扰 数字 隔离器
【权利要求书】:

1.一种抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器,其特征在于,包括:

一发送端电路,具有连接一输入信号的一输入端,以根据该输入信号产生一组差动信号,其中,该发送端电路电性连接于一第一接地电压;

一隔离屏障,具有两个输入端与两个输出端,其中,该两个输入端连接该发送端电路的该组差动信号;以及

一接收端电路,具有连接该隔离屏障的该两个输出端的一组输入端,以产生一输出信号,其中,该接收端电路电性连接于一第二接地电压,且该接收端电路包括一对电阻、一快速侦测电路以及一解调变电路,该对电阻的两个第一端各自连接于该隔离屏障的一该输出端,该对电阻的两个第二端共同连接于该快速侦测电路的一输入端,该快速侦测电路的一输出端与该快速侦测电路的该输入端为共同接点,该解调变电路连接该对电阻的该两个第一端以产生该输出信号。

2.如权利要求1所述的抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器,其特征在于,该隔离屏障包括一第一电容以及一第二电容,该第一电容与该第二电容各自连接于该发送端电路的一输出端与该接收端电路的一该输入端之间。

3.如权利要求1所述的抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器,其特征在于,该对电阻包含一第一电阻以及一第二电阻,该第一电阻与该第二电阻各自连接于该解调变电路的一输入端与该快速侦测电路之间。

4.如权利要求1所述的抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器,其特征在于,该快速侦测电路包括一侦测电路与一电流源电路,该侦测电路包含有一源电流型瞬时控制单元与一灌电流型瞬时控制单元,该电流源电路包含有一源电流型电流源与一灌电流型电流源,该源电流型瞬时控制单元与该灌电流型瞬时控制单元的输出端各自连接该源电流型电流源与该灌电流型电流源,以控制该源电流型电流源与该灌电流型电流源提供一补偿电流。

5.如权利要求4所述的抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器,其特征在于,该源电流型瞬时控制单元包括一运算转导放大器、一第三电阻以及一第四电阻,该第三电阻连接于接地端与该第四电阻之间,该第四电阻的另一端更连接到该快速侦测电路的该输入端与该输出端,该运算转导放大器的两个输入端分别连接到一参考电压信号与该第三电阻和该第四电阻的一共同接点,该运算转导放大器的一输出端连接到该源电流型电流源。

6.如权利要求5所述的抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器,其特征在于,该源电流型电流源为一P型金氧半场效晶体管。

7.如权利要求4所述的抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器,其特征在于,该灌电流型瞬时控制单元包括一第五电阻以及一第一晶体管,该第五电阻连接于接地端与该第一晶体管的源极之间,该第一晶体管的闸极和汲极共同连接到该快速侦测电路的该输入端与该输出端,该第一晶体管的源极连接于该灌电流型电流源。

8.如权利要求7所述的抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器,其特征在于,该灌电流型电流源为一N型金氧半场效晶体管。

9.如权利要求7所述的抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器,其特征在于,该第一晶体管为一N型金氧半场效晶体管。

10.如权利要求4所述的抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器,其特征在于,该源电流型电流源与该灌电流型电流源各自为一P型金氧半场效晶体管与一N型金氧半场效晶体管,其相互串接于一高电压位准与接地端之间,该灌电流型电流源的汲极和该源电流型电流源的汲极共同连接至该电流源电路的一输出端。

11.如权利要求10所述的抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器,其特征在于,该源电流型电流源的源极连接该高电压位准,该源电流型电流源的闸极连接该源电流型瞬时控制单元的输出端。

12.如权利要求10所述的抗高位准共模瞬时干扰的数字隔离器,其特征在于,该灌电流型电流源的源极连接该接地端,该灌电流型电流源的闸极连接该灌电流型瞬时控制单元的输出端。

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