[发明专利]一种平面可集成化慢波结构及其制作方法有效
申请号: | 201910863575.9 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN110473756B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 宋芦迪;徐进;魏彦玉;殷海荣;岳玲娜;王文祥;赵国庆 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01J23/24 | 分类号: | H01J23/24 |
代理公司: | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人: | 李鹏 |
地址: | 610054 四川省成都市成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 平面 集成化 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种平面可集成化慢波结构,其特征在于,包括数个慢波结构单元,所述慢波结构单元包括第一介质基底(1)、金属底板(2)和金属线(3);所述第一介质基底(1)在金属线(3)两端对其进行支撑,中间保持真空,在两个第一介质基底(1)底部由一块金属底板(2)进行支撑,数个慢波结构单元首尾相连,组成周期性结构,即平面可集成化慢波结构;
所述平面可集成化慢波结构包括第二介质基底(4)和四路平面可集成化慢波结构,将所述四路平面可集成化慢波结构印刷在第二介质基底(4)上,所述四路平面可集成化慢波结构由微带功分器连接,电磁波从输入端口进入,使用微带功分器对输入的电磁波信号进行功率等分,使输入信号在所述四路平面可集成化慢波结构上并行传输,采用四路电子注,在每一路分别进行注波互作用,电子注在第二介质基底(4)中间真空部分向前传输,用于避免电子在第二介质基底(4)中的积聚问题;
所述第一介质基底(1)采用具有优良真空性能的氧化铝陶瓷;
所述第二介质基底(4)采用具有优良真空性能的氧化铝陶瓷。
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